半導(dǎo)體板塊自2018年以來一直有波動(dòng)大、估值又偏高的行情特征，令不少投資者望而卻步。

如今2023年半導(dǎo)體制造商因經(jīng)濟(jì)衰退而減少投資正波及設(shè)備行業(yè)，甚至有取消計(jì)劃采購(gòu)的情況，引發(fā)了業(yè)界對(duì)半導(dǎo)體衰退后果的擔(dān)憂。在高景氣不再的背景下，半導(dǎo)體板塊的投資該如何抉擇？本文將詳細(xì)解析。

01

設(shè)備訂單量持續(xù)減少

核心原因來自差距

據(jù)財(cái)經(jīng)大V透露，南華早報(bào)聲稱國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭公司遭長(zhǎng)江存儲(chǔ)砍單，這個(gè)消息還未得到證實(shí)。從這個(gè)消息側(cè)面來看，在百年未有之大變局的背景下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體中下游產(chǎn)業(yè)鏈的擴(kuò)張也并不順利，國(guó)產(chǎn)替代的道路注定是較為曲折的。

半導(dǎo)體目前的產(chǎn)業(yè)位置有點(diǎn)類似于此前被譽(yù)為“渣男”的軍工板塊。在二十年前，我國(guó)軍工裝備與歐美發(fā)達(dá)國(guó)家相比有著巨大的代差，這就導(dǎo)致了我國(guó)軍工產(chǎn)業(yè)持續(xù)多年的“高研發(fā)，低量產(chǎn)”的基本面，市場(chǎng)也因?yàn)檫@種較差的商業(yè)模式而只是將軍工板塊作為事件驅(qū)動(dòng)的短期概念來炒作。

然而，隨著我國(guó)已經(jīng)成功研發(fā)出可與美軍媲美的殲擊機(jī)、航母、陸戰(zhàn)坦克等軍工裝備，軍工行業(yè)正式迎來了“高研發(fā)，高量產(chǎn)”的業(yè)績(jī)爆發(fā)期，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈上市公司也迎來了自身的戴維斯雙擊行情。

因此，何時(shí)大幅量產(chǎn)或成為行情關(guān)鍵變量。

反觀我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目前仍然是處于追趕的狀態(tài)，中芯國(guó)際正加大力度、大規(guī)模進(jìn)口國(guó)外的設(shè)備（包括ASML浸沒式光刻機(jī)等），準(zhǔn)備在今明年進(jìn)行28nm制程生產(chǎn)線的投資。然而，現(xiàn)在問題在于我國(guó)中下游產(chǎn)業(yè)鏈公司會(huì)不會(huì)加大量生產(chǎn)自主研制28nm制程的生產(chǎn)線，答案肯定是否認(rèn)的，因?yàn)槟壳啊翱ú弊印钡恼歉叨?a class="innerlink" href="http://theprogrammingfactory.com/tags/芯片" target="_blank">芯片生產(chǎn)線，在中低端芯片市場(chǎng)上投入資源“內(nèi)卷”是毫無意義的事情。

以這個(gè)角度來看，唯有國(guó)產(chǎn)自主產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)出14nm的芯片生產(chǎn)線，才能夠像軍工行業(yè)一樣進(jìn)入高速成長(zhǎng)的景氣區(qū)間，可惜這個(gè)時(shí)間有些長(zhǎng)至少要用十年才可能成功?？梢姲雽?dǎo)體板塊的投資在如今這個(gè)時(shí)間段仍然是十分艱難的。

02

半導(dǎo)體行業(yè)投資應(yīng)回歸現(xiàn)實(shí)

從當(dāng)前的半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展階段來看，我國(guó)目前的材料以及功率半導(dǎo)體這類的成熟制程的國(guó)產(chǎn)替代速度較快的部分值得關(guān)注。

據(jù)SEMI報(bào)告數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)收入達(dá)到643億美元，同比增長(zhǎng)15．9％。晶圓制造材料和封裝材料收入總額分別為404億美元和239億美元，同比增長(zhǎng)15．5％和16．5％。SEMI預(yù)測(cè)2022年半導(dǎo)體材料市場(chǎng)成長(zhǎng)8．6％，達(dá)到698億美元的市場(chǎng)規(guī)模新高，其中晶圓材料市場(chǎng)將成長(zhǎng)11．5％至451億美元，封裝材料市場(chǎng)則預(yù)計(jì)將成長(zhǎng)3．9％至248億美元，至2023年全球 半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模有望突破700億美元。

目前我國(guó)中低端材料國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程明顯，國(guó)產(chǎn)化水平逐年提高。目前，拋光液、拋光墊、光刻膠、光掩膜板等高端領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化率較低，市場(chǎng)前景廣闊。中低端產(chǎn)品良率水平接近國(guó)際廠商，具有一定競(jìng)爭(zhēng)力。未來各新晶圓廠產(chǎn)能陸續(xù)投入市場(chǎng)，以及下游市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，將會(huì)促進(jìn)材料的快速成長(zhǎng)。

以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體是我國(guó)目前具有競(jìng)爭(zhēng)力的成熟產(chǎn)業(yè)鏈。全球 IGBT分立器件和模組、 MOSFET前十名均為中國(guó)企業(yè)，新能源發(fā)電、汽車等增量市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率迅速提升，部分已超過50％。

未來三年內(nèi)，國(guó)內(nèi)代工產(chǎn)能增速將超過IDM廠商，F(xiàn)abless可以與代工深度合作，共同推進(jìn)工藝開發(fā)；再加上目前行業(yè)仍處于單一替代階段，IDM規(guī)?；图夹g(shù)迭代優(yōu)勢(shì)的體現(xiàn)還需時(shí)日，中短期維度Fabless與IDM界限日漸模糊，差異化競(jìng)爭(zhēng)尚未明顯。

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