宏光半導(dǎo)體公布2022年全年業(yè)績
2023-04-03
來源:宏光半導(dǎo)體
香港, 2023年4月3日 - (亞太商訊) - 宏光半導(dǎo)體有限公司(「宏光半導(dǎo)體」,連同其附屬公司統(tǒng)稱「集團」;股份代號:6908.HK)宣布其截至2022年12月31日止年度(「年內(nèi)」)之經(jīng)審核全年業(yè)績。年內(nèi),宏光半導(dǎo)體積極發(fā)展第三代半導(dǎo)體新業(yè)務(wù),進一步加快氮化鎵(「GaN」)的技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用步伐,并實現(xiàn)多個重要里程碑。
本年度,由于第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)仍處于投放及研發(fā)階段,集團的收益貢獻主要來自LED燈珠業(yè)務(wù)。2019冠狀病毒?。ā感鹿诜窝住够颉敢咔椤梗┏掷m(xù)反復(fù)對中國經(jīng)濟造成嚴重負面影響;因各地實施封城措施導(dǎo)致工廠臨時關(guān)閉,使集團LED燈珠業(yè)務(wù)產(chǎn)業(yè)鏈有部分時間受停頓,產(chǎn)能受到波及,年內(nèi)收益約為人民幣87.5百萬元(2021年:約人民幣126.1百萬元);毛利亦因而降至人民幣16.4百萬元(2021年:約人民幣25.5百萬元)。由于集團并無錄得收購無形資產(chǎn)所得虧損等非現(xiàn)金流項目,縱然用于推展及研發(fā)第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)之開支有所增加,公司擁有人應(yīng)占之年內(nèi)虧損大幅收窄至人民幣約101.3百萬元(2021年:約人民幣446.8百萬元)。
集團管理層表示,年內(nèi)全球經(jīng)濟復(fù)蘇受多重下行風險拖累,世界經(jīng)濟呈現(xiàn)動蕩態(tài)勢??v然如此,全球?qū)Π雽?dǎo)體的需求量依然巨大。面對國際大環(huán)境挑戰(zhàn),集團于年內(nèi)積極發(fā)展GaN新業(yè)務(wù),朝著成為以半導(dǎo)體設(shè)計與制造為核心,集研發(fā)、制造、包裝、封測及銷售為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體整合設(shè)備生產(chǎn)模式(「IDM」)企業(yè)之目標邁進。
業(yè)務(wù)回顧
年內(nèi),LED燈珠的收益約為人民幣87.2百萬元(2021年:約人民幣126.1百萬元)。收益下降主要由于新冠肺炎疫情反復(fù)爆發(fā)及出現(xiàn)變異毒株嚴重損害中國經(jīng)濟,令中國對高端LED產(chǎn)品的需求大幅減少,導(dǎo)致年內(nèi)LED燈珠平均售價下降。
然而,憑借集團的科學(xué)家團隊的雄厚科研實力以及在研發(fā)和生產(chǎn)方面投入的辛勤努力,集團的第三代半導(dǎo)體GaN業(yè)務(wù)中之外延片及快充產(chǎn)品已于年內(nèi)開始為集團錄得收入貢獻。
GaN外延片研發(fā)及生產(chǎn)實現(xiàn)突破性進展 全力開拓第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈
年內(nèi),集團在GaN第三代半導(dǎo)體方面的研發(fā)、制造及落地得以實現(xiàn),并快速切入外延片生產(chǎn)。集團已在其位于中國江蘇省徐州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的半導(dǎo)體工廠內(nèi)安裝兩條用作生產(chǎn)包括GaN相關(guān)產(chǎn)品的生產(chǎn)線,同時從歐洲和日本引入的核心機器已運抵廠房,并已準備就緒制造迎合市場需要的芯片。憑借本集團科學(xué)家團隊的努力以及雄厚的研發(fā)實力,集團亦于年內(nèi)實現(xiàn)重大突破,成功于10月開始生產(chǎn)自家6英吋GaN功率器件外延片,遠早于預(yù)期時間表成功制造外延片,此乃集團邁向第三代半導(dǎo)體GaN供貨商轉(zhuǎn)型的重要成果,為量產(chǎn)GaN芯片鋪路。
此外,集團于本年度獲得九個實用新型及外觀專利,包括氮化鎵基逆變器及電源組件等,另有多個發(fā)明專利正在受理審批中。集團之全資附屬公司徐州金沙江半導(dǎo)體有限公司亦于年內(nèi)與GaN Systems于互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心電力基礎(chǔ)設(shè)施進行首次公開GaN之行業(yè)實地試驗,測試 結(jié)果標志著GaN在數(shù)據(jù)中心的電源基礎(chǔ)設(shè)施中可廣泛使用。
達成多方戰(zhàn)略合作為GaN業(yè)務(wù)注入源源動力
集團于年內(nèi)策略性與多家行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)訂立戰(zhàn)略框架協(xié)議,建立互利共贏的戰(zhàn)略合作關(guān)系,提升其自身的創(chuàng)新及生產(chǎn)制造能力,其中包括于3月與硬蛋創(chuàng)新(股份代號:400.HK)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,協(xié)助集團于中國境內(nèi)出售其所生產(chǎn)的芯片,以及雙方在芯片應(yīng)用及發(fā)展方面開展長期的戰(zhàn)略合作;于5月與中國泰坦能源技術(shù)集團有限公司(股份代號:2188.HK)就技術(shù)研發(fā)及交流達成戰(zhàn)略合作協(xié)議,于未來三年合作研發(fā)采用集團的第三代半導(dǎo)體技術(shù)的新一代快速充電樁。海外方面,集團與GUH Holdings Berhad(「GUH」; 股份代號:3247.KL)訂立無法律約束力諒解備忘錄,將快充電池及GaN器件產(chǎn)品銷售擴展至馬來西亞及東南亞,同時會為GUH提供電池工廠之建設(shè)計劃及采購相關(guān)設(shè)備,以及提供100兆瓦時儲能站之全套模塊設(shè)備。此外,集團于年內(nèi)繼續(xù)與香港法定機構(gòu)合作,共同研究推進香港于「智慧城市」方面的發(fā)展,并升級香港的電動車及充電設(shè)施。
引入主要戰(zhàn)略股東 加快進軍新能源領(lǐng)域之步伐
GaN作為新興高新科技,其廣闊的前景得到投資者青睞。集團于年內(nèi)成功引入多個戰(zhàn)略股東,為開發(fā)關(guān)鍵技術(shù)募集更多資金,同時進一步擴大股東基礎(chǔ)。當中,集團于8月與協(xié)鑫科技控股有限公司(「協(xié)鑫科技」;股份代號:3800.HK)創(chuàng)辦人、主席兼執(zhí)行董事朱共山先生(「朱先生」)之間接全資擁有的常盛有限公司(「戰(zhàn)略投資者」)訂立投資協(xié)議,戰(zhàn)略投資者同意認購6,000萬股認購股份及6,000萬份認股權(quán)證,隨后更與協(xié)鑫集團有限公司(「協(xié)鑫集團」)訂立戰(zhàn)略合作框架協(xié)議,于GaN功率芯片在新能源領(lǐng)域的應(yīng)用開展長期戰(zhàn)略合作,將協(xié)助宏光半導(dǎo)體進軍新能源產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈市場。
展望
隨著5G及人工智能等技術(shù)崛起,以GaN等為代表的第三代半導(dǎo)體研發(fā)及應(yīng)用也被納進國家戰(zhàn)略規(guī)劃中。集團將繼續(xù)加大力度完善第三代半導(dǎo)體GaN產(chǎn)業(yè)鏈,務(wù)求加快步伐研發(fā)及拓展GaN相關(guān)產(chǎn)品的應(yīng)用,配合徐州廠房升級、生產(chǎn)線及機器相繼就緒,集團之科研團隊及專家將繼續(xù)聚焦生產(chǎn)研究,冀能加快實現(xiàn)產(chǎn)能落地。
鑒于電動汽車在內(nèi)地及香港的滲透率提升,加上在政策支持與需求推動下,GaN功率產(chǎn)品領(lǐng)域可望快速發(fā)展。集團將繼續(xù)于中港兩地開發(fā)及商業(yè)化新一代充電樁,積極于香港探索及建立快速充電電池解決方案據(jù)點。此外,集團預(yù)計GaN技術(shù)在未來的大能源系統(tǒng)中將起核心作用,將與協(xié)鑫集團在中國境內(nèi)成立新能源合營公司,并向合營公司提供技術(shù)支持,共同開發(fā)基于硅基功率芯片及第三代半導(dǎo)體之應(yīng)用產(chǎn)品,使集團有望進一步加快GaN在新能源領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用步伐。
展望未來,集團將積極尋求戰(zhàn)略合作伙伴,秉持資源互補、合作共贏的原則,實現(xiàn)集團產(chǎn)業(yè)鏈升級。同時,集團亦會繼續(xù)引入更多半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)秀專家人才以加強生產(chǎn)研發(fā),務(wù)求實現(xiàn)集團產(chǎn)品應(yīng)用和技術(shù)的疊代升級。在政府的利好政策驅(qū)動、廣泛的下游應(yīng)用市場和國產(chǎn)替代機遇三重因素的鼓舞下,集團將順勢謀變,進一步探索與發(fā)展以GaN重心的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品及應(yīng)用,增質(zhì)提效,為股東創(chuàng)造最大價值。
更多精彩內(nèi)容歡迎點擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<