在三星、SK 海力士及美光擴(kuò)大減產(chǎn)下，NAND Flash wafer 漲勢強(qiáng)勁，隨著終端傳統(tǒng)備貨旺季進(jìn)入尾聲，存儲器模組廠想逢低布局，但減產(chǎn)后供給減少，反而推高NAND Flash 需求，加劇價(jià)格反彈力道，存儲器模組廠只能接受原廠漲價(jià)，在原廠還會繼續(xù)漲價(jià)的預(yù)期心理下，模組廠持續(xù)搶貨，推升12 月價(jià)格漲幅。

存儲器大廠三星、SK 海力士和美光先前釋出大規(guī)模減產(chǎn)規(guī)劃。三星從第二季起開始降低NAND Flash 產(chǎn)量，9 月再擴(kuò)大幅度至總產(chǎn)能50%，主要集中在128 層堆疊以下產(chǎn)品，也為同業(yè)奠定漲價(jià)信心。

由于存儲器大廠減產(chǎn)幅度超乎預(yù)期，加上客戶端庫存普遍偏少，促使NAND Flash 價(jià)格持續(xù)上漲。然而，今年下半年Mobile DRAM 及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動，此外中國手機(jī)品牌擴(kuò)大生產(chǎn)目標(biāo)，短時(shí)間需求涌入，推動第四季合約價(jià)格上漲。

此波價(jià)格上漲最劇烈的莫過于NAND Flash wafer 的價(jià)格，根據(jù)TrendForce 的最新調(diào)研結(jié)果，從產(chǎn)業(yè)現(xiàn)況來看，模組廠庫存因客戶追單而快速落底，導(dǎo)致模組廠轉(zhuǎn)而向原廠要求擴(kuò)大供應(yīng)，然而，原廠持續(xù)維持減產(chǎn)策略，供不應(yīng)求致使第四季NAND Flash wafer 價(jià)格反彈強(qiáng)烈，從TrendForce 的數(shù)據(jù)來看，NAND Flash wafer 11 月單月漲幅超過25%。

業(yè)內(nèi)人士透露，在目前供給有限，且需求大幅增加的情況下，模組廠只能接受原廠的強(qiáng)勢漲幅。而業(yè)界因?yàn)轭A(yù)期原廠會持續(xù)漲價(jià)，導(dǎo)致大家一直處于搶貨態(tài)勢。

從目前市況來看，TrendForce認(rèn)為12 月NAND Flash 在供給吃緊下，價(jià)格將持續(xù)推升。但第一季價(jià)格是否持續(xù)大幅拉升，依舊要看原廠減產(chǎn)策略與需求狀況而定。

據(jù)悉，業(yè)界傳出，有原廠因下游拉貨狀況火熱，已開始考慮增加產(chǎn)能。一旦原廠提早增產(chǎn)，加上需求表現(xiàn)未明顯好轉(zhuǎn)，價(jià)格上漲幅度將明顯受到限縮。