新推出的氮化鎵場效應(yīng)晶體管可作為原始設(shè)計(jì)選項(xiàng)或碳化硅（SiC）替代器件

　　加利福尼亞州戈萊塔 - 2024 年 1 月 17 日 - 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN?器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導(dǎo)通電阻，并配有一個(gè)開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實(shí)現(xiàn)更全面的開關(guān)功能。新產(chǎn)品將采用Transphorm成熟的硅襯底氮化鎵制程，該制造工藝不僅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常適合現(xiàn)有硅基生產(chǎn)線量產(chǎn)。目前，50 毫歐 TP65H050G4YS FET 已可供貨，35 毫歐 TP65H035G4YS FET 正在出樣，預(yù)計(jì)將于 2024 年一季度供貨上市。

　　一千瓦及以上功率級(jí)的數(shù)據(jù)中心、可再生能源和各種工業(yè)應(yīng)用的電源中，Transphorm 的 4 引腳 SuperGaN器件可作為原始設(shè)計(jì)選項(xiàng)，也可直接替代現(xiàn)有方案中的4 引腳硅基和 SiC器件。4引腳配置能夠進(jìn)一步提升開關(guān)性能，從而為用戶提供靈活性。在硬開關(guān)同步升壓型轉(zhuǎn)換器中，與導(dǎo)通電阻相當(dāng)?shù)?SiC MOSFET相比，35 毫歐 SuperGaN 4 引腳 FET 器件在 50 千赫茲（kHz）下，損耗減少了 15%，而在 100 kHz 下的損耗則降低了 27%。

　　Transphorm 的 SuperGaN FET 器件所具有的獨(dú)特優(yōu)勢包括：

　　·業(yè)界領(lǐng)先的穩(wěn)健性：+/- 20V 柵極閾值和 4 V 抗擾性。

　　·更優(yōu)的可設(shè)計(jì)性：減少器件周邊所需電路。

　　·更易于驅(qū)動(dòng)：SuperGaN FET 能使用硅器件所常用的市售驅(qū)動(dòng)器。

　　新發(fā)布的TO-247-4L 封裝器件具有相同的穩(wěn)健性、易設(shè)計(jì)性和易驅(qū)動(dòng)性，其核心技術(shù)規(guī)格如下：

　　Transphorm 業(yè)務(wù)發(fā)展及市場營銷高級(jí)副總裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 將繼續(xù)拓展產(chǎn)品線，向市場推出多樣化的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。無論客戶有什么樣的設(shè)計(jì)需求，Transphorm都能夠幫助客戶充分利用SuperGaN平臺(tái)的性能優(yōu)勢。四引腳 TO-247 封裝的SuperGaN為設(shè)計(jì)人員和客戶帶來提供極佳的靈活性--只需在硅或碳化硅器件的系統(tǒng)上做極少的設(shè)計(jì)修改（或者根本不需要進(jìn)行任何設(shè)計(jì)修改），就能實(shí)現(xiàn)更低的電源系統(tǒng)損耗。Transphorm正在加速進(jìn)入更高功率的應(yīng)用領(lǐng)域，新推出的這兩款器件是公司產(chǎn)品線的一個(gè)重要補(bǔ)充?！?/p>

更多精彩內(nèi)容歡迎點(diǎn)擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<