根據(jù)韓媒 The Elec 的報(bào)道，DRAM 內(nèi)存巨頭三星和美光均將在下一個(gè)內(nèi)存世代，也就是 1c nm 工藝引入更多新技術(shù)。

編者注：1c nm 世代即第六個(gè) 10+ nm 世代，美光也稱之為 1 γ nm 工藝。目前最先進(jìn)的內(nèi)存為 1b nm 世代，三星稱其 1b nm 為 12nm 級(jí)工藝。

分析機(jī)構(gòu) TechInsights 高級(jí)副總裁 Choi Jeong-dong 在近日的一場(chǎng)研討會(huì)上表示，美光將在 1c nm 節(jié)點(diǎn)率先引入鉬（Mo，讀音 m ù）和釕（Ru，讀音 li ǎ o）。這兩種金屬將作為布線材料，被用于內(nèi)存的字線和位線中。

鉬和釕的電阻相較于現(xiàn)在應(yīng)用的鎢（W）更低，可進(jìn)一步壓縮 DRAM 線寬。不過釕也存在自身的問題：其在工藝中會(huì)反應(yīng)生成有毒的四氧化釕（RuO4），為維護(hù)工作帶來新的麻煩。Choi Jeong-dong 認(rèn)為，三星和 SK 海力士將稍晚一至兩個(gè)世代引入這兩種金屬。

而在三星這邊，其將進(jìn)一步擴(kuò)大 EUV 工藝的應(yīng)用。三星是三大存儲(chǔ)原廠中首先引入 EUV 的企業(yè)，已將其應(yīng)用至字線和位線等層中，預(yù)計(jì)在 1c nm 中 EUV 應(yīng)用將擴(kuò)展至 8-9 層。對(duì)于美光，其也將在 1 γ nm 節(jié)點(diǎn)首次導(dǎo)入 EUV 光刻。

展望未來 10nm 以下制程，Choi Jeong-dong 表示三大廠商均在研究 3D DRAM 和 4F2 DRAM 等路線以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步微縮，Neo Semiconductor 提出的 X-DRAM 以及不采用電容器的 1T DRAM 等也是可能方向。