2月17日消息，ASML已經(jīng)向Intel交付第一臺高NA EUV極紫外光刻機，將用于2nm工藝以下芯片的制造，臺積電、三星未來也會陸續(xù)接收，可直達1nm工藝左右。
那么之后呢？消息稱，ASML正在研究下一代Hyper NA(超級NA)光刻機，繼續(xù)延續(xù)摩爾定律。
ASML第一代Low NA EUV光刻機只有0.33 NA(孔徑數(shù)值)，臨界尺寸(CD)為13.5nm，最小金屬間距為26nm，單次曝光下的內(nèi)連接間距約為25-30nm，適合制造4/5nm工藝。
使用雙重曝光，可將內(nèi)連接間距縮小到21-24nm，就能制造3nm工藝了，比如臺積電N3B。
第二代EUV光刻機提高到了0.55 NA，臨界尺寸縮小到8nm，金屬間距最小約為16nm，可制造3-1nm，比如Intel就透露會在1.4nm節(jié)點上首次使用。
ASML CTO Martin van den Brink在接受采訪時確認，ASML正在調(diào)查開發(fā)Hyper NA技術(shù)，繼續(xù)推進各項光刻指標，其中NA數(shù)值將超過0.7，預(yù)計在2030年左右完成。
它表示，這種新型EUV光刻機適合制造邏輯處理器芯片，相比高NA雙重曝光成本更低，也可用來制造DRAM內(nèi)存芯片。
ASML已披露的數(shù)據(jù)顯示，低NA光刻機的成本至少1.83億美元，高NA光刻機更是3.8億美元起步。
根據(jù)微電子研究中心(IMEC)的路線圖，2030年左右應(yīng)該能推進到A7 0.7nm工藝，之后還有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm，但那得是2036年左右的事兒了。
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