6月6日消息，據(jù)路透社報(bào)道，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen近日曾在 Jefferies證券主持的投資者電話會(huì)議上表示，ASML與臺(tái)積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計(jì)在第二季度或第三季度開(kāi)始獲得“大量” 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。同時(shí)，Jefferies報(bào)告稱臺(tái)積電已經(jīng)訂購(gòu)了High NA EUV光刻機(jī)。

Jefferies的報(bào)告指出，ASML預(yù)測(cè)其設(shè)備的市場(chǎng)需求有望一路走強(qiáng)至2026年，這主要是受益于各國(guó)政府推動(dòng)的芯片制造本地化策略，通過(guò)補(bǔ)貼當(dāng)?shù)氐木A廠建設(shè)，以提升自身的芯片制造能力。

雖然2024年第一季度，ASML實(shí)現(xiàn)凈銷(xiāo)售額52.90億歐元，同比下降21%。但是Jefferies證券認(rèn)為，ASML 2024年二季度到四季度的平均訂單額可能會(huì)達(dá)到57億歐元左右，有望推動(dòng)其2025年?duì)I收上探至400億歐元。ASML此前就曾將其2025年?duì)I收目標(biāo)設(shè)定在300~400億歐元。

Jefferies證券的報(bào)告還預(yù)測(cè)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2024年某個(gè)時(shí)候就會(huì)收到ASML最新的High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻機(jī)。

ASML的標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)可以打印13.5nm的線寬，而新的High NA EUV光刻機(jī)則是可以通過(guò)打印8nm線寬來(lái)創(chuàng)建更小的晶體管，即可以用于2nm以下的制程工藝制造，并且晶圓生產(chǎn)速度已經(jīng)達(dá)到了每小時(shí)400至500片晶圓，是當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)EUV每小時(shí)200片晶圓的2-2.5倍的速度。不過(guò)，High NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格也是相當(dāng)?shù)陌嘿F，一臺(tái)要價(jià)超過(guò)3.5億歐元。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總裁張曉強(qiáng)（Kevin Zhang）5月14日在阿姆斯特丹舉行的一場(chǎng)會(huì)議上就曾公開(kāi)表示，ASML High NA EUV訂價(jià)太過(guò)高昂，臺(tái)積電預(yù)計(jì)于2026年下半量產(chǎn)的A16（1.6nm）制程，也不一定需用到High NA EUV光刻機(jī)。他說(shuō)，這要看公司能取得的最佳經(jīng)濟(jì)與技術(shù)平衡而定，A16制程或許會(huì)采用、但不確定?！拔蚁矚g這項(xiàng)技術(shù)、但不喜歡高昂的價(jià)格?！?/p>

目前最為積極引入High NA EUV光刻機(jī)則是英特爾，其是第一家訂購(gòu)并完成交付安裝的晶圓制造商，目前英特爾已經(jīng)開(kāi)始在其美國(guó)俄勒岡州最先進(jìn)的技術(shù)開(kāi)發(fā)基地將High NA EUV光刻機(jī)用于其Intel 18A工藝的測(cè)試，以積累相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，后續(xù)將會(huì)被用于Intel 14A的量產(chǎn)。

有報(bào)道稱，ASML已接獲數(shù)十臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)的訂單，其中大部分被英特爾預(yù)定，此外三星、臺(tái)積電、SK海力士、美光也有訂購(gòu)。

對(duì)于ASML所面臨的潛在競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題，Jefferies證券的報(bào)告稱，由于技術(shù)本身和生態(tài)系統(tǒng)的復(fù)雜性，ASML 認(rèn)為“在可預(yù)見(jiàn)的未來(lái)”，其在 EUV 技術(shù)領(lǐng)域不會(huì)面臨來(lái)自中國(guó)光刻設(shè)備公司 SMEE或HW的競(jìng)爭(zhēng)。

根據(jù)資料顯示，ASML先進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機(jī)就擁有超過(guò)10萬(wàn)個(gè)零件，涉及到上游5000多家供應(yīng)商。這些零部件極為復(fù)雜，對(duì)誤差和穩(wěn)定性的要求極高，并且這些零件幾乎都是定制的，90%零件都采用的是世界上最先進(jìn)技術(shù)，85%的零部件是和供應(yīng)鏈共同研發(fā)，甚至一些接口都要工程師用高精度機(jī)械進(jìn)行打磨，尺寸調(diào)整次數(shù)更可能高達(dá)百萬(wàn)次以上。

可以說(shuō)，EUV光刻機(jī)已經(jīng)是所有半導(dǎo)體制造設(shè)備中技術(shù)含量最高的設(shè)備，其中包括上萬(wàn)種精密零部件，而且結(jié)合了光學(xué)、流體力學(xué)、表面物理與化學(xué)、精密儀器、自動(dòng)化、高分子物理與化學(xué)、軟件、機(jī)械、圖像識(shí)別等多個(gè)領(lǐng)域的尖端知識(shí)。目前全世界沒(méi)有一家企業(yè)，甚至可以說(shuō)沒(méi)有一個(gè)國(guó)家可以獨(dú)立完成EUV光刻機(jī)的完整制造。

相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的0.33 NA（數(shù)值孔徑） EUV光刻機(jī)來(lái)說(shuō)，配備0.55 NA透鏡的High NA EUV光刻機(jī)技術(shù)含量更高，系統(tǒng)設(shè)計(jì)也更為復(fù)雜。比如High NA EUV光刻機(jī)會(huì)比現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)更為耗電，從1.5兆瓦增加到2兆瓦，主要原因是因?yàn)楣庠磫?wèn)題，ASML甚至還使用液冷銅線為其供電。High NA EUV光刻機(jī)其各類組件需要250個(gè)單獨(dú)的板條箱中運(yùn)輸，其中包括13 個(gè)大型集裝箱，組裝后的High-NA EUV光刻機(jī)將比雙層卡車(chē)還要大。

目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻機(jī)供應(yīng)商，雖然老牌的光刻機(jī)廠商——日本的尼康和佳能仍在發(fā)展光刻機(jī)業(yè)務(wù)，但是也僅止步于DUV，在EUV方面依然是無(wú)能為力。

不過(guò)，目前High NA EUV光刻機(jī)的發(fā)展已經(jīng)接近當(dāng)前技術(shù)的極限，下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻機(jī)理論上是可以實(shí)現(xiàn)，但是會(huì)面臨更多更復(fù)雜的技術(shù)問(wèn)題，同時(shí)成本也更為驚人。

ASML的前首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink就曾表示，Hyper NA可能將是最后一個(gè)NA，而且不一定能真正投入生產(chǎn)，這意味經(jīng)過(guò)數(shù)十年的光刻技術(shù)創(chuàng)新，我們可能會(huì)走到當(dāng)前半導(dǎo)體光刻技術(shù)之路的盡頭。即使Hyper NA能夠?qū)崿F(xiàn)，但是如果采用Hyper NA技術(shù)的制造成本增長(zhǎng)速度和目前High NA EUV技術(shù)一樣，那么經(jīng)濟(jì)層面幾乎是不可行的。

顯然，在ASML現(xiàn)有光刻機(jī)技術(shù)路線即將走向盡頭的背景之下，對(duì)于中國(guó)廠商來(lái)說(shuō)在現(xiàn)有技術(shù)路線對(duì)于ASML之間的差距可能將不會(huì)繼續(xù)加速擴(kuò)大，這有利于廠商的技術(shù)追趕。

但是在EUV技術(shù)路線發(fā)展受歐美限制，且該技術(shù)路線前景灰暗的情況下，中國(guó)廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進(jìn)行技術(shù)跟隨，還是考慮投入資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？比如佳能去年就推出了面向先進(jìn)制程制造的納米壓印設(shè)備，但該技術(shù)路線能否成功還有待市場(chǎng)檢驗(yàn)。