6月7日，韓國SK集團發(fā)布新聞稿表示，SK集團會長崔泰源與旗下存儲芯片大廠SK海力士（SK Hynix）總裁郭魯于6月6日訪問臺積電，與臺積電新任董事長魏哲家進行了會面，雖然未披露具體商談內(nèi)容，但證實雙方同意加強在人工智能（AI）芯片方面的合作，包括第六代高帶寬內(nèi)存（HBM）HBM4芯片。
SK的動作，代表全球三大內(nèi)存廠--SK海力士、美光和三星電子在HBM4的市場爭奪戰(zhàn)開打。日前輝達執(zhí)行長黃仁勛喊出下一代平臺「Rubin」預(yù)期在2026年進入量產(chǎn)，將搭載HBM4。
SK集團表示，崔泰源在拜會魏哲家時表示，“讓我們一起開啟嘉惠人類的AI時代”。臺積電方面也證實此一消息。
資料顯示，SK海力士4月已經(jīng)與臺積電簽署策略結(jié)盟協(xié)議，強化生產(chǎn)HBM芯片與先進封裝技術(shù)的能力。根據(jù)合作協(xié)議，SK海力士計劃運用臺積電的技術(shù)開發(fā)第六代HBM芯片HBM4，預(yù)定2025年量產(chǎn)。
臺積電目前最先進的3nm制程，預(yù)計將于今年將擴增三倍產(chǎn)能，仍供不應(yīng)求。臺積電從2020到2024年在3/5/7nm制程方面，產(chǎn)能復(fù)合成長率估計達25%。臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理暨副共同營運長張曉強此前表示，臺積電和SK海力士、美光和三星三家HBM主要供應(yīng)商都緊密合作。
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