6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺(tái)High NA EUV極紫外光刻機(jī)，同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。

ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)孔徑數(shù)值只有0.33，對應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。

該系列預(yù)計(jì)到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預(yù)計(jì)到2027年能實(shí)現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。

High NA光刻機(jī)升級(jí)到了0.55，對應(yīng)產(chǎn)品EXE系列，包括已有的5000、5200B，以及未來的5400、5600、5X00。

它們將從2nm以下工藝起步，Intel首發(fā)就是14A 1.4nm，預(yù)計(jì)到2029年左右能過量產(chǎn)1nm，配合多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量產(chǎn)，至少也能支持到0.7nm。

接下來的Hyper NA光刻機(jī)預(yù)計(jì)將達(dá)到0.75甚至更高，2030年前后推出，對應(yīng)產(chǎn)品命名為HXE系列。

ASML預(yù)計(jì)，Hyper AN光刻機(jī)或許能做到0.2nm甚至更先進(jìn)工藝的量產(chǎn)，但目前還不能完全肯定。

值得一提的是，單個(gè)硅原子的直徑約為0.1nm，但是上邊提到的這些工藝節(jié)點(diǎn)，并不是真實(shí)的晶體管物理尺寸，只是一種等效說法，基于性能、能效一定比例的提升。

比如說0.2nm工藝，實(shí)際的晶體管金屬間距大約為16-12nm，之后將繼續(xù)縮減到14-10nm。

Low/High/Hyper三種光刻機(jī)會(huì)共同使用單一的EUV平臺(tái)，大量的模塊都會(huì)彼此通用，從而大大降低研發(fā)、制造、部署成本。

不過，High NA光刻機(jī)的單臺(tái)價(jià)格已經(jīng)高達(dá)約3.5億歐元，Hyper NA光刻機(jī)必然繼續(xù)大幅漲價(jià)，而且越發(fā)逼近物理極限，所以無論技術(shù)還是成本角度，Hyper NA之后該怎么走，誰的心里都沒數(shù)。

微電子研究中心(IMEC)的項(xiàng)目總監(jiān)Kurt Ronse就悲觀地表示：“無法想象只有0.2nm尺寸的設(shè)備元件，只相當(dāng)于兩個(gè)原子寬度?；蛟S到了某個(gè)時(shí)刻，現(xiàn)有的光刻技術(shù)必然終結(jié)。”