6月17日消息，三星宣布與Synposys（新思科技）合作優(yōu)化2nm工藝。
據(jù)悉，Synopsys的AI驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化 （DTCO）解決方案優(yōu)化了三星2nm工藝，改善了面積、性能和能效。
按照計(jì)劃，三星在明年量產(chǎn)2nm芯片，據(jù)了解，三星2nm優(yōu)化了多橋-通道場效應(yīng)晶體管（MBCFET）架構(gòu)，還引入了獨(dú)特的外延和集成工藝，與現(xiàn)有的FinFET相比，新工藝顯著提升了晶體管性能，幅度高達(dá)11%至46%，同時(shí)可變性降低了26%，漏電現(xiàn)象減少了約50%。
業(yè)內(nèi)人士指出，蘋果、英偉達(dá)、AMD、英特爾和高通一直都是先進(jìn)工藝的預(yù)定者，在3nm制程爭奪戰(zhàn)中，三星由于良率問題，導(dǎo)致客戶訂單都向臺(tái)積電傾斜。
因此，2nm制程對(duì)三星來說至關(guān)重要，如果三星在2nm工藝上做出成績，想必會(huì)得到客戶的青睞。
之前高通曾表示，正在考慮三星、臺(tái)積電雙代工模式，因此，不排除驍龍8 Gen5交給三星代工的可能。
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