7月2日消息，美國存儲芯片大廠美光（Micron）于6月5日宣布，預(yù)計2025自然年，其HBM市占率將與美光的DRAM市占率相當(dāng)，達到約為20-25%?？梢哉f美光的豪言也給另外兩家HBM大廠SK海力士和三星帶來了一些競爭壓力。

據(jù)韓國媒體BusinessKorea報道，韓國DRAM大廠SK海力士的8層堆疊HBM3E產(chǎn)品在今年3月已經(jīng)開始量產(chǎn)并交貨，三星隨后在今年4月也已經(jīng)量產(chǎn)。緊接著，SK海力士于4月底宣布在今年第三季完成12層HBM3E開發(fā)，2025年供貨，但一周內(nèi)就修改計劃，宣布提早于今年5月提供樣品，并在今年第三季度量產(chǎn)。

根據(jù)韓國市場人士說法，SK海力士的此舉是受到了美光積極的HBM策略的影響。在今年第二財季電話會議上，美光就表示，其HBM供不應(yīng)求，2024年已銷售一空，2025年的絕大多數(shù)供應(yīng)也已經(jīng)分配完畢。隨后在第三季財報電話會議上，美光宣布該財季內(nèi)其第五代HBM（HBM3E）營收已經(jīng)超過1億美元，并預(yù)計下一財年，美光的HBM年收入可能高達“數(shù)十億美元”，并計劃在2025年將其HBM市占率提高到20-25%。

而為了應(yīng)對HBM市場的強勁市場需求，美光此前還上調(diào)了2024財年的資本支出金額，預(yù)計從75~80億美元（約臺幣2,395億元~2,550億元），提升到80億美元，主要是為了投資HBM產(chǎn)能。

目前9% HBM市占的美光，正在考慮將馬來西亞工廠轉(zhuǎn)為HBM專用生產(chǎn)線，擴大臺中HBM產(chǎn)線。美光日本新廣島工廠將為HBM生產(chǎn)基地，鞏固HBM市場主要供應(yīng)者。隨著高效能運算、人工智慧應(yīng)用和GPU需求持續(xù)成長，HBM市場競爭加劇，美光策略和HBM技術(shù)進步，成為SK海力士和三星的強大競爭對手。

面對美光的來勢洶洶，韓國市場人士表示，三星HBM3E還未取得英偉達的認證，目標(biāo)是第三季完成8層堆疊的HBM產(chǎn)品認證，第四季完成12層HBM產(chǎn)品認證。如果沒有三星，全球HBM市場不可能有充足供應(yīng)，三星今年也要將HBM供應(yīng)量年增三倍以上，2025年增兩倍多。三星已提供12層HBM樣品，并2025年量產(chǎn)12層HBM3E。

目前已經(jīng)拿下全球HBM市場53%市占率的SK海力士，原本計劃在2026年量產(chǎn)12層堆疊第六代HBM（HBM4）提前到2025年，其韓國清州M15x工廠建立整合HBM產(chǎn)線，包括EUV（極紫外線）設(shè)備，2025年竣工，2026年第三季營運。

值得一提的是，SK集團于6月30日宣布，旗下SK海力士將投資103萬億韓元（約合747億美元），計劃在2028年之前進一步加強其面向人工智能存儲芯片業(yè)務(wù)。據(jù)了解，其中約80%（即82萬億韓元）的投資將用于發(fā)展高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，以推動與AI芯片發(fā)展的配合。