8 月 8 日消息，比利時微電子研究中心 imec 當?shù)貢r間昨日宣布，在其與 ASML 合作的 High NA EUV 光刻實驗室首次成功利用 High NA EUV 光刻機曝光了邏輯和 DRAM 的圖案結構。

在邏輯圖案方面，imec 成功圖案化了單次曝光隨機邏輯機構，實現(xiàn)了 9.5nm 密集金屬線（IT之家注：對應 19nm Pitch），將端到端間距尺寸降低至 20nm 以下：

▲ 密集金屬線。圖源 imec，下同

不僅如此，imec 實現(xiàn)了中心間距 30nm 的隨機通孔，展現(xiàn)了出色的圖案保真度和臨界尺寸一致性：

▲ 隨機通孔

此外，imec 通過 High NA EUV 光刻機構建了 P22nm 間距的二維特征，顯示了新一代光刻技術在二維布線方面的潛力：

▲ 二維特征

而在 DRAM 領域，imec 成功利用單次曝光圖案化了集成 SNLP（Storage Node Landing Pad）和位線外圍的 DRAM 設計，展現(xiàn)了 High NA EUV 減少曝光次數(shù)的能力：

▲ DRAM 設計

imec 總裁兼首席執(zhí)行官 Luc Van den hove 表示：

這些結果證實了 High NA EUV 光刻技術長期以來所預測的分辨率能力，一次曝光即可實現(xiàn) 20nm 以下間距的金屬層。

因此 High NA EUV 將對邏輯和存儲器技術的尺寸擴展起到重要作用，而這正是將路線圖推向 "埃米時代" 的關鍵支柱之一。

這些早期演示之所以能夠實現(xiàn)，要歸功于 ASML-imec 聯(lián)合實驗室的建立，它使我們的合作伙伴能夠加快將 High NA 光刻技術引入制造領域。