11 月 7 日消息，韓媒《時事周刊 e》（Sisa Journal e）當(dāng)?shù)貢r間今日報道稱，三星電子第 1、2 代 3nm 工藝（注：即 SF3E-3GAE 與 SF3-3GAP）目前良率分別為 60% 和 20% 左右。

這一水平未達到高通、英偉達等主要潛在客戶提出的 70% 要求，導(dǎo)致三星無法在最先進制程上與臺積電爭奪訂單，進而影響了三星尖端邏輯工藝投資的收益能力。

韓媒表示，作為一家某種意義上算是 IDM 的企業(yè)，三星 DS 部的三大業(yè)務(wù)部存儲器、系統(tǒng) LSI、Foundry 實際上環(huán)環(huán)相扣：

系統(tǒng) LSI 設(shè)計的自家 Exynos 處理器如能由 Foundry 順利制造，則對外界證明了 Foundry 的技術(shù)水平，這會吸引外部客戶選擇三星邏輯代工 + HBM + 先進封裝“交鑰匙”方案，存儲器業(yè)務(wù)部的先進 HBM 內(nèi)存自然不愁銷路。

而三星電子目前未能實現(xiàn)這一良性循環(huán)，導(dǎo)致半導(dǎo)體業(yè)務(wù)整體處于危機狀態(tài)。

韓媒認(rèn)為三星電子 DS 部將在集團年度管理層調(diào)整中經(jīng)歷高管大洗牌，三大業(yè)務(wù)部的負(fù)責(zé)人均可能被更換。同時這一調(diào)整預(yù)計于本月內(nèi)進行，早于常例的 12 月初。

三星電子今年 5 月出人意料地在年中就更換了 DS 部總負(fù)責(zé)人，由全永賢接替慶桂顯。