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英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件

2024-11-20
來(lái)源:英飛凌
關(guān)鍵詞: 英飛凌 氮化鎵

【2024年11月20日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管,該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛,包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)電源(SMPS)、可再生能源,以及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。

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CoolGaN? 650 V G5晶體管

 

最新一代CoolGaN?晶體管可直接替代CoolGaN? 600 V G1晶體管,實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有平臺(tái)的快速重新設(shè)計(jì)。新器件改進(jìn)了性能指標(biāo),確保為重點(diǎn)應(yīng)用帶來(lái)具有競(jìng)爭(zhēng)力的開關(guān)性能。與主要同類產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)品系列相比,CoolGaN? 650 V G5晶體管輸出電容中存儲(chǔ)的能量(Eoss)降低了多達(dá)50%,漏源電荷(Qoss)和柵極電荷(Qg)均減少了多達(dá) 60%。憑借這些特性,新器件在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中都具有出色的效率。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體技術(shù)相比,其功率損耗大幅降低,根據(jù)具體使用情況可降低20%-60%。

這些優(yōu)勢(shì)使該系列器件能夠在高頻率下以極低的功耗工作,因此具有出色的功率密度。CoolGaN? 650 V G5晶體管使SMPS應(yīng)用變得更小、更輕,或在規(guī)定外形尺寸的情況下提高輸出功率范圍。

該新型高壓晶體管產(chǎn)品系列提供多種 RDS(on) 封裝組合。十種 RDS(on) 級(jí)產(chǎn)品采用各種SMD封裝,如 ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL 和 TOLT。所有產(chǎn)品均在奧地利菲拉赫和馬來(lái)西亞居林的高性能8英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)。未來(lái),CoolGaN?將過渡到 12 英寸生產(chǎn)線。這將使英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)大其CoolGaN?產(chǎn)能,并確保在GaN功率市場(chǎng)上擁有穩(wěn)健的供應(yīng)鏈。Yole Group預(yù)測(cè)到2029年,該市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 20 億美元[1]。

 

供貨情況

目前可向英飛凌訂購(gòu)CoolGaN? 650 V G5晶體管產(chǎn)品系列,未來(lái)幾周將開放電商訂購(gòu)渠道。

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