2024 年 11 月 29日，中國(guó)——意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。

工業(yè)級(jí)晶體管STL300N4F8 和 車規(guī)晶體管STL305N4F8AG 的額定漏極電流高于300A，最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為1mΩ，可在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色的能效。動(dòng)態(tài)性能得到了改進(jìn)，65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開關(guān)頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速反向恢復(fù)特性有助于提高系統(tǒng)的能效和可靠性。

有了新系列器件，設(shè)計(jì)人員可以利用意法半導(dǎo)體最新的 STripFET F8 技術(shù)為無線電動(dòng)工具、工業(yè)生產(chǎn)工具等設(shè)備設(shè)計(jì)電源、電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置。MOSFET 的能效可延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間，降低耗散功率，準(zhǔn)許應(yīng)用系統(tǒng)在采用簡(jiǎn)單的熱管理設(shè)計(jì)情況下持續(xù)輸出高功率，從而節(jié)省電路板空間，降低物料成本。車規(guī)器件的目標(biāo)應(yīng)用是整車電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和DC/DC轉(zhuǎn)換器，包括車身電子設(shè)備、底盤和動(dòng)力總成。具體應(yīng)用場(chǎng)景包括車窗升降器、座椅定位器、天窗開啟器、風(fēng)扇和鼓風(fēng)機(jī)、電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、主動(dòng)懸架和減排控制系統(tǒng)。

意法半導(dǎo)體的 STripFET F8 技術(shù)確保器件具有很高的穩(wěn)健性和更大的安全工作區(qū) (SOA)，能夠處理大功率，耐受大功率造成的漏源電壓 (VDS)大幅下降。此外，175°C 的最高工作結(jié)溫讓MOSFET適用于極端惡劣的工作環(huán)境。

此外，該技術(shù)可以縮減裸片尺寸，降低導(dǎo)通電阻RDS(on)，提高價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力，采用尺寸緊湊的封裝。這兩款器件都采用節(jié)省空間的 PowerFLAT 5x6 封裝，同時(shí)還提供汽車工業(yè)要求的可潤(rùn)濕側(cè)翼封裝。

STL300N4F8現(xiàn)已上市。