1月14日消息，據(jù)《臺(tái)北時(shí)報(bào)》報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)”郭振華（J.W. Kuo）近日在新聞發(fā)布會(huì)上表示，臺(tái)積電現(xiàn)在被允許在其位于中國(guó)臺(tái)灣以外的晶圓廠中采用其即將推出的 2nm 級(jí)制程工藝技術(shù)制造芯片。

此前，臺(tái)積電一直被禁止在中國(guó)臺(tái)灣以外使用其最新的工藝技術(shù)制造芯片，該戰(zhàn)略旨在讓臺(tái)積電最先進(jìn)的制程工藝技術(shù)保留在中國(guó)臺(tái)灣。這些規(guī)則要求海外芯片生產(chǎn)至少比中國(guó)臺(tái)灣落后兩代。然而，中國(guó)臺(tái)灣政府現(xiàn)在已經(jīng)改變了立場(chǎng)，允許中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)可以根據(jù)技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)機(jī)會(huì)做出決定。

郭振華表示，“那些是古老的規(guī)則。時(shí)代變了，私營(yíng)企業(yè)應(yīng)該根據(jù)自己的技術(shù)進(jìn)步做出自己的商業(yè)決策?；驹瓌t是企業(yè)可以從他們的海外投資中獲利。臺(tái)積電正在美國(guó)建廠，旨在為美國(guó)客戶提供服務(wù)，因?yàn)槿?60% 的芯片設(shè)計(jì)公司都位于美國(guó)?！?/p>

根據(jù)已經(jīng)公布的計(jì)劃，臺(tái)積電將在美國(guó)亞利桑那州建設(shè)三座晶圓廠，包括一期的4nm晶圓廠，量產(chǎn)時(shí)間是2025年上半年；二期的3nm晶圓廠，原定于2026年開始量產(chǎn)，推遲到了2028年。兩座晶圓廠完工后，合計(jì)將年產(chǎn)超過60萬片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)值預(yù)估超過400億美元。2024年4月宣布新增的三期晶圓廠將生產(chǎn)2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)，預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代底（2029～2030年）間量產(chǎn)。

這也使得臺(tái)積電在亞利桑那州的總體投資金額從原來的400億美元提升到650億美元，并有望創(chuàng)造超過25000個(gè)直接建筑和制造業(yè)就業(yè)機(jī)會(huì)，以及數(shù)千個(gè)間接就業(yè)機(jī)會(huì)。有助于實(shí)現(xiàn)美國(guó)到 2030 年生產(chǎn) 20% 全球最先進(jìn)邏輯芯片的目標(biāo)。對(duì)此，美國(guó)政府已宣布向臺(tái)積電提供高達(dá)66億美元的補(bǔ)貼資金和50億美元的低息貸款，用以支持臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州晶圓廠的建設(shè)。

不過，由于之前中國(guó)臺(tái)灣政府的政策限制，臺(tái)積電2nm或更先進(jìn)技術(shù)出口到美國(guó)晶圓廠還需要中國(guó)臺(tái)灣政府的批準(zhǔn)。但是從郭振華最新的表態(tài)來看，相關(guān)的限制即將解除。這也意味著臺(tái)積電將可以在美國(guó)生產(chǎn)2nm或更先進(jìn)的制程工藝。

根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，2025 年至 2026 年，其在中國(guó)臺(tái)灣將至少擁有能夠量產(chǎn)2nm芯片的晶圓廠。而臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州的第三座晶圓廠可能要等到2030年才能生產(chǎn)其2nm家族（N2、N2P、N2X）甚至是1.6nm（A16）制程工藝。