《電子技術(shù)應(yīng)用》
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創(chuàng)意電子完成全球首款HBM4 IP于臺積電N3P制程投片

2025-04-03
來源:芯智訊

4月2日,先進ASIC廠商創(chuàng)意電子宣布成功完成HBM4控制器與實體層(PHY)半導(dǎo)體IP的投片。該芯片采用臺積電最先進的N3P制程技術(shù),并結(jié)合CoWoS-R先進封裝技術(shù)實現(xiàn)。

創(chuàng)意電子表示,HBM4 IP支持高達12Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。通過創(chuàng)新的中介層(interposer)布局設(shè)計,優(yōu)化了信號完整性(SI)與電源完整性(PI),確保HBM4在各類CoWoS技術(shù)下皆能穩(wěn)定運行于高速模式。相較于HBM3,HBM4 PHY實現(xiàn)了2.5倍的帶寬提升,并將功耗效率提升1.5倍,面積效率提升2倍。

創(chuàng)意電子指出,HBM4 IP 將延續(xù)與proteanTecs在HBM、Glink與UCIe IP的技術(shù)合作,HBM4 IP還整合了proteanTecs的互連監(jiān)測解決方案,提供HBM聯(lián)機信號的可觀測性與電氣特性分析,進一步提升終端產(chǎn)品的實際運行性能與可靠度。

這項里程碑將進一步強化創(chuàng)意電子在先進IP領(lǐng)域的完整布局,將HBM4納入HBM3/3E、32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解決方案之列,共同構(gòu)成完整的2.5D與3D解決方案,為客戶提供強大支持,以應(yīng)對AI、高性能運算(HPC)等最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用需求。

HBM4 IP設(shè)計亮點:

在所有sign-off PVT條件下均可達12Gbps;

高總線利用率,隨機讀寫存取時可達約90%;

創(chuàng)新中介層(interposer)布局設(shè)計,確保各類CoWoS技術(shù)下的最佳SI/PI表現(xiàn);

內(nèi)建由proteanTecs所提供之每通道實時I/O及clock能效與健康監(jiān)測電路。

創(chuàng)意電子總經(jīng)理戴尚義強調(diào),很自豪成為全球首家成功投片12Gbps HBM4控制器與PHY IP的公司。將持續(xù)致力于提供業(yè)界領(lǐng)先的2.5D/3D IP與服務(wù)。通過整合HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供全面性的解決方案,以滿足市場不斷演進的需求。


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