4 月 22 日消息，臺媒《電子時報》今日稱，隨著三星電子推動 DRAM 內(nèi)存制程工藝的策略性轉(zhuǎn)換升級，多款采用老舊 1y nm（第二代 10nm 級）工藝 DRAM 顆粒的 DDR4 模組（內(nèi)存條）即將停產(chǎn)。

具體來看，多家供應(yīng)鏈企業(yè)反饋收到產(chǎn)品 EOL（注：生命周期結(jié)束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 內(nèi)存條的最后訂購日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最后出貨。

報道指出，三星電子正快速推動傳統(tǒng) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線向 DDR5、HBM 等較新產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換，而這也意味著與老舊制程關(guān)系密切的 DDR3、DDR4 逐步停產(chǎn)。

據(jù)悉三星電子已于 2024 年第二季度停產(chǎn) DDR3；1y nm DDR4 產(chǎn)能在整體中的占比將快速從去年的 20% 上下削減至今年下半年的不足一成；再下一代的 1z nm DDR4 預(yù)計將在 2027 年停產(chǎn)。