光掩模（版）系生產(chǎn)集成電路所需之模具，是用于光致抗蝕劑涂層選擇性曝光的一種結(jié)構(gòu)，其原理類似于沖洗相片時(shí)利用底片將影像復(fù)制到相片上。

韓國科技媒體 TheElec 今日報(bào)道稱，三星電子正計(jì)劃將內(nèi)存芯片制造所需的光掩模生產(chǎn)業(yè)務(wù)進(jìn)行外包。

據(jù)稱，目前三星已啟動供應(yīng)商評估流程，候選企業(yè)包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美國 Photronics 旗下 PKL（注：廠址位于京畿道），評估結(jié)果預(yù)計(jì)第三季度公布。

TheElec 報(bào)道稱，三星準(zhǔn)備將低端產(chǎn)品（i-line 365 納米、KrF 248 納米）進(jìn)行外包，內(nèi)部僅保留高端光掩模（ArF 193 納米、EUV 13.5 納米），原 i-line / KrF 資源轉(zhuǎn)向 ArF / EUV 研發(fā)。

報(bào)道稱，三星決定將光掩模生產(chǎn)外包的原因有很多，主要是三星自家 i-line 和 Krf 設(shè)備已經(jīng)老化，且不再生產(chǎn)，因此很難找到替代設(shè)備；而且低端光掩模技術(shù)外泄風(fēng)險(xiǎn)較低，三星更愿意集中力量沖擊高端制程建設(shè)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)越來越先進(jìn)，電路圖案越來越精細(xì)，生產(chǎn)流程中使用光掩模的數(shù)量也越來越多。例如 10nm 邏輯芯片需 67 張，而 1.75nm 預(yù)計(jì)需要 78 張；傳統(tǒng) DRAM 芯片需要 30-40 張，而現(xiàn)在最先進(jìn)的 DRAM 芯片需要 60 多張。況且，多重曝光技術(shù)也進(jìn)一步增加了光掩模所需數(shù)量。