8月14日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)消息，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)CXMT）大規(guī)模設(shè)備投資已經(jīng)重啟，計(jì)劃引進(jìn)大量新設(shè)備擴(kuò)大產(chǎn)能，以量產(chǎn)最新DRAM DDR5，并在此基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)HBM3高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品。

消息稱，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)第三季開(kāi)始下訂設(shè)備，于安徽省合肥市生產(chǎn)基地建立產(chǎn)線。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最初告知設(shè)備供應(yīng)商，年初開(kāi)始訂購(gòu)新設(shè)備大幅提升產(chǎn)能。 但受DDR4停產(chǎn)及美國(guó)可能有更嚴(yán)格出口禁令影響，新設(shè)備延后進(jìn)廠。

根據(jù)預(yù)計(jì)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2026年HBM產(chǎn)能有可能將達(dá)每月5萬(wàn)片晶圓，相當(dāng)于三星和SK海力士2026年HBM產(chǎn)能的20%~25%。 在2025年第一季度的DRAM市場(chǎng)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)稱產(chǎn)能已經(jīng)占據(jù)了全球DRAM市場(chǎng)約6%的份額。

由于美國(guó)對(duì)華出口限制，中國(guó)大陸獲取HBM3及更高端的HBM受限。據(jù)英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道稱，中美貿(mào)易談判中，中方要求美方放寬HBM出口管制。

在此背景之下，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也在加速推進(jìn)HBM的國(guó)產(chǎn)化。據(jù)了解，目前長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)完成了HBM2的開(kāi)發(fā)，并加速推進(jìn)HBM3的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)。為此，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)開(kāi)始停產(chǎn)DDR4，并將原有DDR4設(shè)備升級(jí)至DDR5產(chǎn)線。但是由于美國(guó)考慮將長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)列入實(shí)體清單的限制，迫使長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的設(shè)備進(jìn)口延期。

從目前來(lái)看，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的研發(fā)中HBM依舊大幅落后于SK海力士、三星等廠商，目前三星和SK海力士正在使用10納米級(jí)1b制程DRAM生產(chǎn)HBM3e，并準(zhǔn)備利用1c制程DRAM生產(chǎn)HBM4。 市場(chǎng)人士指出，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)HBM商業(yè)化和進(jìn)入市場(chǎng)還需要相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間，對(duì)2026年HBM市場(chǎng)影響有限。