根據集邦科技(Trendforce)旗下研究部門 DRAMeXchange 調查， DDR3 2GB合約價格自2010年自上半年的高點46.5美元后一路走跌，九月上旬跌破40美元，十月下旬再度跌破30美元。十一月上旬均價約25美元，與今年高點相比跌幅達46%。

雖然筆記本電腦九月出貨優(yōu)于預期，由于傳統(tǒng)旺季需求仍不暢旺，季成長僅2.6%。DRAM產出方面，除了三星由于制程優(yōu)于其它同業(yè)，加上浸潤式機臺移入時間早，產出量的增加在第三季達到頂峰，也讓三星在第三季營收有著亮眼的表現。

反觀其它DRAM業(yè)者，浸潤式機臺移入時間點大都集中在今年下半年，產出量亦在第四季大增，供給大于需求加上 DRAM廠商有銷貨上的壓力，以較低的價格爭取訂單，是造成十月下旬合約價加速趕底的主要原因。集邦科技預估，今年年底DDR3合約價格可能下看20美元，下跌幅將超過30% (QoQ)。

由于預見DRAM價格大幅下跌，DRAM廠紛紛對未來資本支出轉趨保守，如三星Fab16的建設，將視未來市場狀況做調整，臺系廠如力晶亦下修資本支出約20%至160億臺幣，日臺合資的瑞晶R2廠擴廠計劃也延后討論。

另外爾必達更在11月4日F2Q法說上，宣稱將把減產標準型DRAM月產能至6萬片，減產方向可能降低委外代工部分，或降低日本廣島廠標準型DRAM的投片量。11月8日，力晶跟進宣布減產標準型 DRAM 10%~15%，將產能轉至代工產品。同時市場也傳出海力士因44nm良率不佳，影響第三季及第四季的產出。

展望2011年，集邦科技預估 2011年 DRAM 產出全年成長率在廠商加速制程轉進下，仍可達50%。各家的制程轉進狀況，三星35nm制程預計明年下半年將超過50%，其余國際廠也加速3Xnm進程，海力士、美光及爾必達均預計明年第二季末量產3Xnm技術；臺系廠明年則以加速轉進4xnm 為目標。各家競相轉進制程，期望將生產成本再降低，以因應DRAM快速下跌的速度。

DRAMeXchange 預估，DRAM價格可望在明年第一季或第二季落底。2011年PC 銷售成長預計達11.8%，加上Tablet PC 刺激Mobile RAM需求成長80%以上，然而在標準型DRAM價格大跌隱憂下，DRAM廠明年上半年資本支出可能將保守以對，預期明年第一季，低價DRAM可望刺激計算機廠商增加DRAM 搭載率。

DRAMeXchange預估2011年DT以及NB單機搭載率分別成長至4.22GB/4.00GB，年增率36%以及31%，市場期望DRAM搭載的成長，能讓市場由超額供給回復至供需平衡，下半年市場價格走穩(wěn)。