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2025半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速將超10%

12月23日消息，綜合多家研究機(jī)構(gòu)的預(yù)測數(shù)據(jù)來看，2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值有望將維持兩位數(shù)百分比的同比增長。不過，隨著美國新一屆總統(tǒng)特朗普即將上任，地緣政治不確定性恐將升高，并為全球經(jīng)濟(jì)形勢與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長添增變數(shù)。

發(fā)表于：12/24/2024

5G確定性工業(yè)基站首次商用

近日，在“無線通算智融合技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)攻關(guān)及基站研制”央企聯(lián)合體、浙江中心5G-A實(shí)驗(yàn)室的支持下，中國移動(dòng)溫州分公司聯(lián)手華為在溫州煙草配送中心成功開通浙江省內(nèi)首個(gè)5G確定性工業(yè)基站，滿足客戶業(yè)務(wù)場景對時(shí)延可靠性20ms@99.99%的需求，并在物流穿梭運(yùn)輸產(chǎn)線上完成5*24小時(shí)穩(wěn)定性測試。這一創(chuàng)新性成果標(biāo)志著5G工業(yè)應(yīng)用邁出了關(guān)鍵一步，為工業(yè)自動(dòng)化、智能化發(fā)展提供強(qiáng)有力的技術(shù)支撐，有望推動(dòng)更多工廠向星級(jí)工廠邁進(jìn)。

發(fā)表于：12/24/2024

二極管/三極管/場效應(yīng)管完整測試方案設(shè)計(jì)及選擇

發(fā)表于：12/23/2024

場效應(yīng)管的重要參數(shù)介紹

場效應(yīng)管（FET）的重要參數(shù)包括： 1.最大漏源電壓（VDSmax）：場效應(yīng)管漏極和源極之間能夠承受的最大電壓。 2.最大漏極電流（IDmax）：場效應(yīng)管能夠承受的最大漏極電流，超過此值可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞。 3.最大柵源電壓（VGSmax）：場效應(yīng)管柵極和源極之間能夠承受的最大電壓。 4.閾值電壓（Vth）：使場效應(yīng)管開始導(dǎo)電的最小柵源電壓。

發(fā)表于：12/23/2024

場效應(yīng)管的主要類型介紹

場效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，它利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流。場效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。由于它僅靠極少量電流即可工作，因此非常適用于功率電路中作放大用；此外，這種電子元件還有較高的輸入阻抗和輸出電阻，因而也適用于信號(hào)處理、高頻振蕩和調(diào)制等電路中作輸入級(jí)或輸出級(jí)。

發(fā)表于：12/23/2024

三極管的重要參數(shù)介紹

三極管（晶體管）是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，它有多種類型，如雙極型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。不同類型的三極管有不同的參數(shù)，但以下是一些重要的通用參數(shù)：

發(fā)表于：12/23/2024

三極管的主要類型介紹

半導(dǎo)體三極管，也被稱為雙極型晶體管或晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件它的主要功能是將微弱的電信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，同時(shí)也被用作無觸點(diǎn)開關(guān)。三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。

發(fā)表于：12/23/2024

二極管的重要參數(shù)介紹

二極管的重要參數(shù)包括額定峰值反向電壓（VR）、額定直流正向電流（IF）、最大導(dǎo)通電流（IFM）、靜態(tài)電阻（RS）、正向壓降（VF）、動(dòng)態(tài)電阻（rd）、反向漏電流（IR）、反向恢復(fù)時(shí)間（trr）、反向恢復(fù)電荷（Qrr）和熱阻（Rth）等。??

發(fā)表于：12/23/2024

二極管的主要類型介紹

二極管是一種具有兩個(gè)電極的電子器件，其主要功能是允許電流在一個(gè)方向上通過，而在另一個(gè)方向上則阻止電流通過，這種特性被稱為單向?qū)щ娦浴? 具體來說，二極管由兩個(gè)主要部分構(gòu)成：一個(gè)是P型半導(dǎo)體，另一個(gè)是N型半導(dǎo)體，它們的交界處形成PN結(jié)。

發(fā)表于：12/23/2024

北電數(shù)智構(gòu)建首個(gè)國產(chǎn)算力PoC平臺(tái) 助力國產(chǎn)算力場景化應(yīng)用

　　近日，2024中國企業(yè)家博鰲論壇-2024數(shù)字科技創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)盛大舉行，共話AI行業(yè)發(fā)展。北京電?數(shù)智科技有限責(zé)任公司（以下簡稱“北電數(shù)智”）董事長荊磊發(fā)表《打造“AI工廠”，建設(shè)數(shù)字中國》主題演講，梳理了當(dāng)前我國AI行業(yè)發(fā)展所面臨的挑戰(zhàn)，并分享北電數(shù)智的解題思路和實(shí)踐路徑。

發(fā)表于：12/23/2024

英特爾股東起訴前CEO基辛格

12月20日消息，據(jù)The Register 報(bào)道，英特爾股東 LR Trust 已對英特爾高管提起訴訟，指控英特爾前首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）和英特爾臨時(shí)聯(lián)合首席執(zhí)行官兼首席財(cái)務(wù)官大衛(wèi)·津斯納（David Zinsner）管理不善、誤導(dǎo)性披露，并要求將他們獲得的賠償金和其他收益退還給公司。在列出的要求中，該股東要求基辛格退還其在 2021 年、2022 年和 2023 年任職期間賺取的 2.07 億美元工資的全部款項(xiàng)。

發(fā)表于：12/23/2024

2023年中國廠商占據(jù)了全球SiC專利申請量的70%

近日，法國市場研究機(jī)構(gòu)KnowMade最新發(fā)布的一份針對碳化硅（SiC）的知識(shí)產(chǎn)權(quán) （IP）報(bào)告，全面介紹了全球最近的碳化硅專利申請活動(dòng)。在該報(bào)告中，KnowMade重點(diǎn)介紹了整個(gè)碳化硅供應(yīng)鏈中最新的專利動(dòng)態(tài)，并重點(diǎn)介紹了SiC行業(yè)內(nèi)一些采用垂直整合模式（IDM）的主要公司的專利動(dòng)態(tài)。

發(fā)表于：12/23/2024

晶華微宣布2億元收購芯邦智芯微100%股權(quán)

晶華微宣布2億元收購智芯微100%股權(quán)，承諾未來三年凈利不低于4000萬元

發(fā)表于：12/23/2024

美光公布其HBM4和HBM4E項(xiàng)目最新進(jìn)展

12 月 22 日消息，據(jù)外媒 Wccftech 今日報(bào)道，美光發(fā)布了其 HBM4 和 HBM4E 項(xiàng)目的最新進(jìn)展。具體來看，下一代 HBM4 內(nèi)存采用 2048 位接口，計(jì)劃在 2026 年開始大規(guī)模生產(chǎn)，而 HBM4E 將會(huì)在后續(xù)幾年推出。 HBM4E 不僅會(huì)提供比 HBM4 更高的數(shù)據(jù)傳輸速度，還可根據(jù)需求定制基礎(chǔ)芯片，這一變化有望推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。

發(fā)表于：12/23/2024

NVIDIA有望采用日本Rapidus 2nm工藝

12月22日消息，日本半導(dǎo)體代工企業(yè)Rapidus日前宣布，已接收到從ASML采購的先進(jìn)EUV光刻機(jī)并開始安裝，這也是日本首家擁有EUV光刻機(jī)的公司。 Rapidus計(jì)劃2025年春季完成2nm芯片原型開發(fā)，并在2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，相比之下臺(tái)積電則計(jì)劃2025年開始量產(chǎn)2nm芯片。至于Rapidus目前的2nm客戶，Rapidus CEO小池淳義先前透露，正在與40家客戶洽談，預(yù)計(jì)明年以后才能對外公布。 NVIDIA CEO在上個(gè)月13日暗示，未來可能考慮委托Rapidus代工生產(chǎn)AI芯片，他強(qiáng)調(diào)供應(yīng)鏈多元化的重要性，并對Rapidus的能力有信心。 Rapidus CEO小池淳義還表示，盡管臺(tái)積電在2納米芯片的量產(chǎn)時(shí)程上領(lǐng)先，但Rapidus有信心在制程進(jìn)度上具有優(yōu)勢，并能快速提升良率和效能，追趕上臺(tái)積電。 Rapidus于2022年8月成立，被視為日本的“半導(dǎo)體國家隊(duì)”，是由日本政府以及索尼、豐田、鎧俠、NTT、軟銀、NEC、電裝與三菱日聯(lián)銀行等8家日本企業(yè)共同出資組成。

發(fā)表于：12/23/2024