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工業(yè)自動化最新文章

我國首批工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)安全領(lǐng)域國家標(biāo)準(zhǔn)明年1月正式實施

10 月 10 日消息，中國信通院 CAICT 官方公眾號昨日（10 月 9 日）發(fā)布博文，宣布牽頭推進工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)網(wǎng)絡(luò)安全，發(fā)布了 3 項國家標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)國家市場監(jiān)督管理總局（國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會）批準(zhǔn)，將于 2025 年 1 月 1 日正式實施。

發(fā)表于：10/10/2024

一圖讀懂《智能制造典型場景參考指引（2024年版）》

一圖讀懂《智能制造典型場景參考指引（2024年版）》

發(fā)表于：10/10/2024

喜訊！華秋電子宣布完成新一輪3.1億元融資

近日，深圳華秋電子有限公司（以下簡稱：華秋電子）宣布完成C++輪股權(quán)融資，金額3.1億元人民幣。本輪融資由鵬瑞產(chǎn)投和啟賦資本領(lǐng)投，云沐資本及多家新老股東跟投，云沐資本擔(dān)任長期獨家財務(wù)顧問。在當(dāng)前全球經(jīng)濟放緩、市場需求下滑以及投資環(huán)境緊縮的背景下，華秋電子能夠逆勢獲得資本青睞，充分證明了其在行業(yè)中的強勁競爭力和卓越的創(chuàng)新優(yōu)勢。

發(fā)表于：10/10/2024

英特爾確認(rèn)ASML第二臺High NA EUV光刻機完成安裝

在近日舉辦的SPIE大會上，ASML新任CEO傅恪禮（Christophe Fouquet）發(fā)表了精彩的開幕/主題演講，重點介紹了High NA EUV光刻機。很明顯，High NA EUV光刻機不太可能像最初的EUV光刻機那樣出現(xiàn)延遲。我們只能期待它相對快速地推出和采用，因為High NA EUV光刻機更像是EUV光刻機的“升級款”，而不是一個全新的產(chǎn)品。傅恪禮談到了組裝掃描儀子組件的新方法，即在客戶的現(xiàn)場組裝，而不是在ASML組裝后拆卸并再次在客戶的現(xiàn)場組裝設(shè)備。這在處理相對簡單的沉積和蝕刻工具以及類似的工具時已經(jīng)實現(xiàn)結(jié)果，但對于高復(fù)雜度的光刻設(shè)備來說則是另一回事。但這將大大節(jié)省時間和成本。這將有助于加快High NA EUV光刻機的發(fā)展。

發(fā)表于：10/10/2024

國內(nèi)最輕最小雷達光電一體化對地感知系統(tǒng)成功試飛

10 月 9 日消息，據(jù)中國電科 10 月 8 日消息，近日，中國電科 14 所雷達探測感知全國重點實驗室無人智能團隊創(chuàng)新研制國內(nèi)最輕最小雷達光電一體化對地感知系統(tǒng)，實現(xiàn)首次實裝掛飛。

發(fā)表于：10/9/2024

臺積電應(yīng)用350套H100取代4萬CPU

美東時間10月8日周二在華盛頓舉行的“英偉達AI峰會”期間，英偉達強調(diào)了同臺積電在加速計算領(lǐng)域合作的成績：英偉達名為cuLitho 的計算光刻平臺正在臺積電投入生產(chǎn)，加速計算進一步大幅提升了計算光刻這一芯片制造基石步驟的速度，并降低能耗。 350套H100取代4萬CPU！臺積電應(yīng)用英偉達平臺，加速計算掀起半導(dǎo)體制造變革

發(fā)表于：10/9/2024

我國自主國產(chǎn)自動化制樣設(shè)備通過驗收

切割精度0.05毫米！我國自主國產(chǎn)自動化制樣設(shè)備通過驗收

發(fā)表于：10/9/2024

臺積電美國工廠開始試產(chǎn)5nm工藝節(jié)點

10月8日消息，據(jù)媒體報道，有知情人士透露稱，臺積電在美國亞利桑那州的新工廠已經(jīng)開始試產(chǎn)5nm工藝節(jié)點，AMD成為了繼蘋果之后該工廠的第二大客戶。臺積電位于亞利桑那州菲尼克斯附近的Fab 21工廠試產(chǎn)的5nm節(jié)點，包括N4/N4P/N4X和N5/N5P/N5X工藝。目前，蘋果的A16 Bionic芯片正在使用N4P工藝進行生產(chǎn)，這也是該工廠的一個重要測試，蘋果芯片的生產(chǎn)數(shù)量雖小，卻意義重大。目前尚不清楚AMD計劃在Fab 21生產(chǎn)哪些芯片，但據(jù)消息人士透露，生產(chǎn)計劃正在規(guī)劃中，預(yù)計將于明年開始流片和制造。 Fab 21的第一階段將專注于N4和N5技術(shù)，這可能意味著AMD的CDNA 3系列企業(yè)AI芯片，如Instinct MI300系列加速器，可能會在Fab 21生產(chǎn)。

發(fā)表于：10/9/2024

8月全球半導(dǎo)體銷售額達531億美元

美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會 (SIA) 10月5日宣布，2024年8月全球半導(dǎo)體銷售額達到531億美元，較2023年8月的440億美元增長20.6%，比2024年7月的513億美元增長3.5%。半導(dǎo)體的月度銷售額由世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織 (WSTS)編制，代表三個月的移動平均值。按收入計算，SIA代表了美國半導(dǎo)體行業(yè)的99%，占非美國芯片公司的近三分之二。

發(fā)表于：10/8/2024

我國在硅光子集成領(lǐng)域取得里程碑式突破

據(jù)“九峰山實驗室”官方消息，2024年9月，該實驗室在硅光子集成領(lǐng)域取得里程碑式突破性進展——成功點亮集成到硅基芯片內(nèi)部的激光光源，這也是該項技術(shù)在國內(nèi)的首次成功實現(xiàn)。隨著人工智能大模型的開發(fā)和應(yīng)用，以及自動駕駛等技術(shù)的發(fā)展，對于芯片算力的需求持續(xù)提升，但是半導(dǎo)體先進制程工藝已經(jīng)越來越逼近物理極限，在單個芯片上增加晶體管密度這條路徑越來越難，每一代制程的提升所能夠帶來的性能提升或功耗降低也越來越有限，同時還帶來成本的急劇上升，這也意味著摩爾定律無法繼續(xù)發(fā)揮作用。為此，不少半導(dǎo)體廠商將目光轉(zhuǎn)向了先進封裝技術(shù)，即通過將多個芯粒封裝在同一塊基板上，以提升晶體管數(shù)量，從而提高性能。

發(fā)表于：10/8/2024

富士膠片宣布投資9.74億元開發(fā)2nm以下制程所需半導(dǎo)體材料

富士膠片宣布投資9.74億元開發(fā)2nm以下制程所需半導(dǎo)體材料

發(fā)表于：10/8/2024

俄羅斯計劃2030年實現(xiàn)70%半導(dǎo)體設(shè)備及材料的國產(chǎn)替代

投資25.4億美元，俄羅斯計劃2030年實現(xiàn)70%半導(dǎo)體設(shè)備及材料的國產(chǎn)替代

發(fā)表于：10/8/2024

三星3nm良率低下致非存儲半導(dǎo)體部門巨虧3.85億美元

三星3nm良率低下，導(dǎo)致非存儲半導(dǎo)體部門巨虧3.85億美元

發(fā)表于：10/8/2024

長電科技46.8億元完成對晟碟半導(dǎo)體收購

長電科技46.8億元完成對晟碟半導(dǎo)體收購

發(fā)表于：10/8/2024

CISSOID與南京航空航天大學(xué)合作建立聯(lián)合電驅(qū)動實驗室

　　比利時·蒙 - 圣吉貝爾和中國·南京 – 2024年9月23日 –為各行業(yè)提供所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID日前宣布：公司已與南京航空航天大學(xué)自動化學(xué)院電氣工程系達成深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將攜手建立聯(lián)合電驅(qū)動實驗室，共同研發(fā)針對碳化硅（SiC）功率電子應(yīng)用的全方位優(yōu)化、匹配先進電機的電控系統(tǒng)，以充分發(fā)揮SiC器件的高頻、高壓、高溫、高效率、高功率密度等性能優(yōu)勢，更好地滿足工業(yè)、航空和新能源汽車應(yīng)用的廣泛需求。

發(fā)表于：9/30/2024