EDA與制造相關(guān)文章 世芯電子宣布成功流片2nm測試芯片 10月30日消息，近日，高性能 ASIC 設(shè)計服務(wù)廠商世芯電子（Alchip）發(fā)布新聞稿稱，它已經(jīng)成功流片了一款 2nm 測試芯片，預(yù)計明年第一季度將公布結(jié)果。目前，世芯正在與客戶積極合作開發(fā)高性能 2nm ASIC。 發(fā)表于：10/31/2024 西門子接近達成收購工程軟件制造商Altair 西門子接近達成收購工程軟件制造商Altair 發(fā)表于：10/31/2024 三星前員工涉嫌向韓國泄露國產(chǎn)內(nèi)存秘密被中國警方逮捕 據(jù)多家媒體報道，韓國駐華大使館于10月28日表示，一名50歲韓國男子A某因涉嫌“向韓國泄露中國半導(dǎo)體信息”，被以“間諜罪”于去年12月被中國警方拘留。 這是自去年 7 月中國修訂的《反間諜法》生效以來，第一起根據(jù)該法逮捕韓國人的案件。 報道稱，A某現(xiàn)居安徽省合肥市，在當(dāng)?shù)匾患野雽?dǎo)體公司工作，與妻子和兩個女兒一起生活。 A某曾就職于三星電子半導(dǎo)體部門擔(dān)任離子注入技術(shù)員二十余年，2016年開始移居中國，加入了中國最大的DRAM內(nèi)存芯片制造商CXMT，當(dāng)時該公司首次招募了10 名韓國半導(dǎo)體專業(yè)人員。隨后他在離開長鑫存儲后，又相繼在另外兩家中國半導(dǎo)體公司任職。 發(fā)表于：10/31/2024 德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍 中國北京（2024 年 10 月 28 日）– 德州儀器 （TI）（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 （GaN） 的功率半導(dǎo)體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍。 發(fā)表于：10/31/2024 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓， 突破技術(shù)極限并提高能效 【2024年10月29日, 德國慕尼黑訊】繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。 發(fā)表于：10/30/2024 消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出 10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟日報》當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預(yù)計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。 三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。 發(fā)表于：10/30/2024 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓 10月29日消息，據(jù)英飛凌官方消息，近日，英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，該直徑為300mm的晶圓的厚度僅為20μm，僅有頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。英飛凌表示，這是其繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，再次在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域取得新的里程碑。 發(fā)表于：10/30/2024 商務(wù)部回應(yīng)歐盟對華電動汽車反補貼調(diào)查終裁 10 月 30 日消息，從商務(wù)部官網(wǎng)獲悉，商務(wù)部新聞發(fā)言人就歐盟公布對華電動汽車反補貼調(diào)查終裁結(jié)果答記者問。 發(fā)表于：10/30/2024 消息稱臺積電擬收購更多群創(chuàng)工廠擴產(chǎn)先進封裝 據(jù)報道，半導(dǎo)體設(shè)備公司的消息人士透露，今年8月收購了群創(chuàng)在南科的5.5代LCD面板廠的臺積電，打算在其已收購的工廠附近收購更多的群創(chuàng)工廠。 發(fā)表于：10/30/2024 國產(chǎn)廠商的光芯片布局解析 " 人工智能需求促使高速光模塊需求量劇增，光芯片供應(yīng)小于需求，目前缺口較大。" 光瓴時代（無錫）半導(dǎo)體有限公司（下稱 " 光瓴時代 "）創(chuàng)始人張杰向財聯(lián)社記者表示道。隨著 AI 服務(wù)器對 800G、1.6T 等高速光模塊的需求增加，光模塊的重要零組件光芯片陷入緊缺。 發(fā)表于：10/29/2024 2024年全球晶圓廠設(shè)備收入將達1330億美元 近日，市場研究機構(gòu)Yole Group最新的報告顯示，目前半導(dǎo)體行業(yè)正處于強勁的上升軌道上，預(yù)計到 2024 年全球晶圓廠設(shè)備 （WFE）收入將達到 1330 億美元，同比增長 19%。其中，其中83%來自設(shè)備出貨，17%來自服務(wù)和支持。但是不同設(shè)備細分市場的增長將有很大差異。 Yole Group 分析師將2024年WFE市場的增長主要歸因于市場對面向生成式AI的DRAM/HBM 和處理器的投資增長，而 NAND Flash的資本支出仍然疲軟，傳統(tǒng)邏輯和專業(yè)市場的資本支出則面臨潛在風(fēng)險。在這種不確定的環(huán)境中，WFE 供應(yīng)商正在通過使其應(yīng)用組合多樣化來維持或提高其收入水平，從而應(yīng)對不均衡的資本支出。 發(fā)表于：10/29/2024 算能科技回應(yīng)被臺積電停止供貨 10月27日消息，據(jù)業(yè)內(nèi)最新消息，當(dāng)美國商務(wù)部開始調(diào)查臺積電涉嫌向被禁企業(yè)提供芯片之時，臺積電于本月早些時候停止了向中國廈門算能科技（SOPHGO）供應(yīng)芯片。 不過該消息并未證實算能科技被臺積電停止供貨是否與臺積電被美國商務(wù)部調(diào)查一事有關(guān)。 發(fā)表于：10/28/2024 英特爾宣布擴容成都封裝測試基地 英特爾宣布擴容成都封裝測試基地，增加服務(wù)器芯片服務(wù) 發(fā)表于：10/28/2024 Intel85億美元芯片法案資金仍未獲支付 Intel85億美元芯片法案資金仍未獲支付 發(fā)表于：10/28/2024 武漢光電國家研究中心團隊攻克芯片光刻膠關(guān)鍵技術(shù) 重大突破！芯片光刻膠關(guān)鍵技術(shù)被攻克：原材料全部國產(chǎn) 配方全自主設(shè)計 發(fā)表于：10/28/2024 ?…11121314151617181920…?
