EDA與制造相關(guān)文章 三星完成400層NAND Flash開發(fā) 12月9日消息，根據(jù)韓國媒體BusinessKorea報道稱，三星電子在其半導體研究所中已經(jīng)成功完成了突破性400層堆疊NAND Flash閃存技術(shù)的開發(fā)。同時，三星也自上個月開始，將這項先進技術(shù)轉(zhuǎn)移到其平澤園區(qū)一號工廠中大規(guī)模生產(chǎn)線。而這一重要的里程碑的達成，將使得三星處于NAND Flash技術(shù)的領(lǐng)先位置，將有望領(lǐng)先已經(jīng)宣布計劃量產(chǎn)321層NAND Flash的SK海力士。 發(fā)表于：12/10/2024 通用PC DRAM內(nèi)存價格暴跌35.7% 12月9日消息，據(jù)韓國媒體報道，市場研究公司DRAMeXchange最新報告顯示，截至2024年11月底，通用PC DRAM產(chǎn)品（DDR4 8Gb 1Gx8）的平均固定交易價格已跌至1.35美元。 發(fā)表于：12/10/2024 海信否認3萬人大裁員傳聞 12月10日消息，據(jù)報道，網(wǎng)絡平臺近日有傳言稱，海信集團正面臨大規(guī)模裁員，員工數(shù)量從十一萬人減少至八萬人，裁員數(shù)量高達三萬人。 海信方面回應：目前網(wǎng)絡流傳的關(guān)于海信裁員的相關(guān)數(shù)據(jù)信息，均為不實猜測。對一些媒體和自媒體通過刻意夸張裁員數(shù)量和比例“博流量”的惡劣行為，海信將通過法律途徑追究其相關(guān)責任。 發(fā)表于：12/10/2024 英偉達是否會成為第二個Qorvo 英偉達是否會成為第二個Qorvo？美國5G射頻芯片公司虧損，是美國半導體產(chǎn)業(yè)鏈第一個倒下骨牌！ 發(fā)表于：12/10/2024 鼎龍股份ArF及KrF光刻膠分別獲兩家國產(chǎn)晶圓廠訂單 12月9日晚間，國產(chǎn)半導體材料廠商鼎龍股份發(fā)布公告稱，公司旗下的某款浸沒式 ArF 晶圓光刻膠及某款 KrF 晶圓光刻膠產(chǎn)品前后順利通過客戶驗證，并于近期分別收到共兩家國內(nèi)主流晶圓廠客戶的訂單，合計采購金額超百萬元人民幣。 發(fā)表于：12/10/2024 英特爾臨時聯(lián)席CEO證實不會放棄晶圓代工業(yè)務 12月6日消息，近日英特爾宣布原CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）正式退休，卸任董事會職務，同時任命David Zinsner和Michelle（MJ）Johnston Holthauus為公司臨時聯(lián)席CEO。而針對基辛格的突然退休離職，外界也擔憂其所推動的IDM 2.0戰(zhàn)略是否能夠繼續(xù)執(zhí)行下去，特別是晶圓代工業(yè)務是否會放棄？ 發(fā)表于：12/9/2024 成熟制程晶圓代工價格戰(zhàn)愈演愈烈 12月9日消息，據(jù)《經(jīng)濟日報》報道稱，由于目前晶圓代工成熟制程供過于求，中國大陸晶圓代工廠為填補產(chǎn)能，近期祭出大幅折扣搶單，其中12英寸代工價只有臺系晶圓代工廠的6折，8英寸代工價也再將20%-30%，引發(fā)臺系芯片設計廠商紛紛轉(zhuǎn)至大陸投片，沖擊到了聯(lián)電和世界先進等臺系成熟制程晶圓代工廠。 發(fā)表于：12/9/2024 英特爾展示互連微縮技術(shù)突破性進展 12月8日消息，在近日的IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會議）上，英特爾代工展示了多項技術(shù)突破，助力推動半導體行業(yè)在下一個十年及更長遠的發(fā)展。 發(fā)表于：12/9/2024 SpaceX 星艦制造畫面曝光 12 月 9 日消息，隨著星艦第七次飛行測試的臨近，SpaceX 正在加緊制造后續(xù)的火箭，為 2025 年的星艦測試計劃提供支持。來自得克薩斯州博卡奇卡當?shù)孛襟w拍攝的畫面顯示 SpaceX 正在其工廠內(nèi)制造星艦上級火箭的部件，焊接機器人正在從多個角度對星艦的鼻錐進行焊接。 發(fā)表于：12/9/2024 長江存儲發(fā)聲明回應借殼萬潤科技上市傳聞 針對近期有媒體炒作國產(chǎn)NAND Flash芯片大廠長江存儲將“借殼上市”一事，12月9日晚間23:20分，長江存儲正式發(fā)布聲明進行了辟謠。 發(fā)表于：12/9/2024 ASML前員工涉嫌竊取公司芯片機密并出售被罰 據(jù)荷蘭媒體《NOS》報道，荷蘭庇護和移民事務部對一名阿斯麥（ASML）前員工實施了為期 20 年的入境禁令。這名與俄羅斯有聯(lián)系的個人目前正在接受調(diào)查，他被懷疑從阿斯麥竊取重要的微芯片文件并涉嫌從事間諜活動。當?shù)孛襟w報道稱，荷蘭很少實施此類禁令，通常只在涉及國家安全的案件中才會這樣做。 發(fā)表于：12/9/2024 消息稱臺積電2nm芯片生產(chǎn)良率達60%以上 在半導體行業(yè)中，“良率”（Yield）是一個關(guān)鍵指標，指的是從一片硅晶圓中切割出的可用芯片通過質(zhì)量檢測的比例。如果晶圓廠的良率較低，制造相同數(shù)量的芯片就需要更多的晶圓，這會推高成本、降低利潤率，并可能導致供應短缺。 據(jù)外媒 phonearena 透露，臺積電計劃明年開始量產(chǎn) 2 納米芯片，目前該公司已在位于新竹的臺積電工廠進行試產(chǎn)，結(jié)果顯示其 2nm 制程的良率已達到 60% 以上。 這一數(shù)據(jù)還有較大提升空間，外媒稱，通常相應芯片良率需要達到 70% 或更高才能進入大規(guī)模量產(chǎn)階段。以目前 60% 的試產(chǎn)良率，臺積電明年才能令其 2nm 工藝進入大規(guī)模生產(chǎn)階段。 發(fā)表于：12/9/2024 博通推出行業(yè)首個3.5D F2F封裝技術(shù) 12 月 6 日消息，博通當?shù)貢r間昨日宣布推出行業(yè)首個 3.5D F2F 封裝技術(shù) 3.5D XDSiP 平臺。3.5D XDSiP 可在單一封裝中集成超過 6000mm2 的硅芯片和多達 12 個 HBM 內(nèi)存堆棧，可滿足大型 AI 芯片對高性能低功耗的需求。 發(fā)表于：12/6/2024 小型衛(wèi)星公司每公斤發(fā)射成本難題待解 12月6日 衛(wèi)星發(fā)射領(lǐng)域的多位高管日前警告稱，盡管月球探索任務和太空制造等新興領(lǐng)域帶來了新的機遇，但小型衛(wèi)星發(fā)射公司仍面臨來自傳統(tǒng)巨頭價格戰(zhàn)和市場快速變化的巨大壓力。比如在發(fā)射成本上，小型衛(wèi)星公司要比SpaceX高出5倍左右。 發(fā)表于：12/6/2024 Intel 18A制程SRAM密度曝光 12月5日消息，根據(jù)英特爾計劃將在2025年量產(chǎn)其最新的Intel 18A制程，而臺積電也將在2025年下半年量產(chǎn)N2（2nm）制程，這兩種制程工藝都將會采用全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管架構(gòu)，同時Intel 18A還將率先采用背面供電技術(shù)，那么究竟誰更具優(yōu)勢呢？ 發(fā)表于：12/6/2024 ?12345678910…?
