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“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞

“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多兩會(huì)代表提案的關(guān)鍵詞

今年的兩會(huì)已落下帷幕，“沒有網(wǎng)絡(luò)安全就沒有國家安全”，“網(wǎng)絡(luò)安全”再次成為眾多代表委員提案和議案中的關(guān)鍵詞。隨著網(wǎng)絡(luò)的飛速發(fā)展，網(wǎng)絡(luò)信息安全問題已對(duì)國家、社會(huì)及個(gè)人造成巨大威脅。下面就一起看看對(duì)于解決所面臨的網(wǎng)絡(luò)安全問題，代表委員們都有哪些好的建議。

【回顧與展望】益萊儲(chǔ)：租賃賦能客戶創(chuàng)新蝶變

【編者按】2024年，全球科技產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，持續(xù)推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步。這股浪潮深刻影響企業(yè)運(yùn)營，隨著各行業(yè)對(duì)測(cè)試測(cè)量設(shè)備需求的不斷增加，租賃市場(chǎng)也相應(yīng)擴(kuò)大…… 在2025年，租賃模式在行業(yè)中的重要性是否更加值得期待？日前，益萊儲(chǔ)亞太區(qū)高級(jí)副總裁潘海夢(mèng)介紹了益萊儲(chǔ)對(duì)于2025年的展望和公司的未來發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：1/22/2025

【回顧與展望】瑞薩電子：持續(xù)投入研發(fā)以穿越半導(dǎo)體周期

2024年，半導(dǎo)體市場(chǎng)在AI、數(shù)據(jù)中心、消費(fèi)電子和汽車電子等領(lǐng)域的推動(dòng)下，實(shí)現(xiàn)了顯著復(fù)蘇和快速增長，但各個(gè)細(xì)分行業(yè)發(fā)展并不均衡…… 在2025年，半導(dǎo)體市場(chǎng)能否全面繼續(xù)保持增長態(tài)勢(shì)，汽車半導(dǎo)體、工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子等哪些細(xì)分領(lǐng)域更值得期待？日前，瑞薩電子全球銷售與市場(chǎng)副總裁、瑞薩電子中國總裁賴長青介紹了瑞薩電子對(duì)于2025年的展望和公司的未來發(fā)展戰(zhàn)略。

發(fā)表于：1/22/2025

派拓網(wǎng)絡(luò)發(fā)布2025年網(wǎng)絡(luò)安全趨勢(shì)預(yù)測(cè)，平臺(tái)化解決方案將成為企業(yè)首選

近日，全球網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Palo Alto Networks（派拓網(wǎng)絡(luò)）發(fā)布2025年亞太地區(qū)網(wǎng)絡(luò)安全預(yù)測(cè)，給出“網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施將以統(tǒng)一數(shù)據(jù)安全平臺(tái)為中心、深度偽造將成為主要的欺詐手段、揭穿圍繞量子安全話題的炒作、透明度將是AI時(shí)代維持客戶信任的基石以及企業(yè)將更加重視產(chǎn)品完整性和供應(yīng)鏈安全”五大安全趨勢(shì)。

發(fā)表于：1/22/2025

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功

1 月 22 日消息，功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)的心臟，是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。中國科學(xué)院微電子研究所昨日宣布，該院劉新宇、湯益丹團(tuán)隊(duì)和中國科學(xué)院空間應(yīng)用工程與技術(shù)中心劉彥民團(tuán)隊(duì)等開展合作，共同研制出首款國產(chǎn)高壓抗輻射碳化硅 (SiC) 功率器件及其電源系統(tǒng)，已搭乘天舟八號(hào)貨運(yùn)飛船并成功通過太空第一階段驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)其在電源系統(tǒng)中的在軌應(yīng)用。案，牽引空間電源系統(tǒng)的升級(jí)換代。

發(fā)表于：1/22/2025

消息稱Arm計(jì)劃將授權(quán)許可費(fèi)用漲價(jià)至高300%

1 月 21 日消息，據(jù)外媒 Sammobile 報(bào)道，Arm 正準(zhǔn)備大幅度提高授權(quán)許可的費(fèi)用（最高漲價(jià) 300%），此舉將對(duì)三星 Exynos 芯片未來發(fā)展造成嚴(yán)重影響。

發(fā)表于：1/22/2025

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相

Rapidus與IBM合作在美制造2nm GAA原型晶圓亮相，在日試產(chǎn)4月啟動(dòng)

發(fā)表于：1/22/2025

傳三星和LG擬將部分家電產(chǎn)線從墨西哥轉(zhuǎn)向美國

據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)新聞（Korea Economic Daily）1月21日?qǐng)?bào)導(dǎo)，韓國三星電子和LG電子（LG Electronics）正考慮將部分家電產(chǎn)線從墨西哥廠轉(zhuǎn)移至美國廠。

發(fā)表于：1/22/2025

OpenAI攜手軟銀甲骨文等5000億美元成立AI新公司Stargate

美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月21日，美國新任總統(tǒng)特朗普宣布，OpenAI、軟銀、甲骨文（Oracle）等聯(lián)合成立一家新的AI公司“Stargate”（星際之門），未來四年將投資5000億美元，預(yù)計(jì)將創(chuàng)造10萬個(gè)工作崗位?，F(xiàn)在，該公司會(huì)立刻投資1000億美元，用于建設(shè)AI基礎(chǔ)設(shè)施。

發(fā)表于：1/22/2025

三星HBM3內(nèi)存首次通過AMD MI300X中實(shí)現(xiàn)商用

1月21日消息，研究機(jī)構(gòu) TechInsights今天表示，其揭示了三星HBM3內(nèi)存的首個(gè)商用實(shí)例，該內(nèi)存集成在AMD的MI300X AI加速器中。 TechInsights稱，三星于2023年8月宣布HBM3內(nèi)存面世，其在商用產(chǎn)品中的部署對(duì)內(nèi)存制造商和AI芯片制造商來說都是一個(gè)重要的里程碑。據(jù)了解，MI300X擁有最多8個(gè)XCD核心，304組CU單元，8組HBM3核心，顯存容量提升到了192GB，，同時(shí)HBM內(nèi)存帶寬高達(dá)5.2TB/s，Infinity Fabric總線帶寬也有896GB/s。

發(fā)表于：1/22/2025

消息稱三星將從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM

1 月 21 日消息，韓媒 ETNews 今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子內(nèi)部為應(yīng)對(duì)其 12nm 級(jí) DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時(shí)從頭設(shè)計(jì)新版 1b nm DRAM。據(jù)悉該新版 12nm 級(jí) DRAM 工藝項(xiàng)目名為 D1B-P（IT之家注：P 為 Prime 的簡(jiǎn)寫），專注改進(jìn)能效和散熱表現(xiàn)，這與三星此前的第六代 V-NAND 改進(jìn)版制程 V6P 采用了相同的命名邏輯。

發(fā)表于：1/22/2025