頭條 安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術 2024年12月10日，功率半導體大廠安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。 最新資訊 為48V數據中心應用提供高功率密度的開關電容中間總線轉換器 偉創(chuàng)力電源模塊（Flex Power Modules）現已發(fā)布非隔離式開關電容中間總線轉換器（IBC）BMR310，這款產品可為數據中心應用提供高功率密度的產品，從而改善電路板空間利用率并為其他元器件釋放空間。 發(fā)表于：9/16/2021 ADI公司發(fā)布集成精密庫侖計數器的納安級功耗原電池SoH監(jiān)控器 中國，北京 - Analog Devices, Inc. （ADI） 今天推出集成精密庫侖計數器的納安級功耗原電池（不可充電）健康狀態(tài)（SoH）監(jiān)控器LTC3337，其設計使得與原電池串聯(lián)放置時的相關串聯(lián)壓降極小。獲得專利的無限動態(tài)范圍庫侖計數器記錄所有累積的電池放電，并將其存儲在可通過I2C接口訪問的內部寄存器中。LTC3337的靜態(tài)電流消耗僅為100nA，有助于延長電池運行時間。 發(fā)表于：9/16/2021 學子專區(qū)-ADALM2000實驗：浮動（2端口）電流源/吸電流 本實驗旨在研究如何利用ΔVBE概念來產生穩(wěn)定（對輸入電壓電平的變化較不敏感）的輸出電流。使用反饋來構建在一定的電源電壓范圍內產生恒定或調節(jié)輸出電流的電路。 發(fā)表于：9/15/2021 超寬85-305VAC輸入AC-DC電源，適用于15W至320W的嵌入式應用 September 14, 2021 – XP Power正式宣布推出穩(wěn)壓輸出外殼AC-DC電源LCW系列，是嵌入式工業(yè)電子、技術和需要家庭認證的設備的理想選擇。九個新系列（LCW15、LCW25、LCW35、LCW50、LCW75、LCW100、LCW150、LCW200和LCW320）的功率水平從15W到320W不等。所有模塊均符合EN 55032 B級傳導和輻射標準，便于低成本集成，并配有集成連接器蓋，以提高安裝后的安全性。 發(fā)表于：9/15/2021 豐田的動力電池的供應和開發(fā) 豐田在電動化的步調上一直比較慢，現在仍在不斷調整節(jié)奏。最近豐田有加速對動力電池的投資節(jié)奏的跡象，目前是放出話來，在2030年前將投資逾135億美元用于電池開發(fā)。 發(fā)表于：9/10/2021 新材料助力AC-DC電源轉換器采用新拓樸實現更高效率 第三代半導體材料的普及應用，使得電源轉換器可以采用更為先進的電路拓樸架構，更高的開關頻率大大減少了電感、電容和變壓器等無源器件的尺寸，開關電源從而獲得了更高的轉換率和小型化設計。 發(fā)表于：9/10/2021 案例分析：故障提前知 | 先進的多功能軟件如何監(jiān)控電動公交車隊充電站 本文將介紹德國耶拿公共交通系統(tǒng)是如何監(jiān)測其電動公交車隊的充電樁，并使用先進的診斷功能來提高其可用性并優(yōu)化維護活動。 發(fā)表于：9/9/2021 博世宣布告別“充電盒” 德國斯圖加特和慕尼黑——電動汽車的隨充時代已經到來：博世推出的新型輕巧智能充電線纜采用集成控制和安全技術，無需使用“充電盒”（即沉重的纜上控制盒），即可接入230伏電源插座充電。該充電線纜將在2021年德國國際汽車及智慧出行博覽會（IAA Mobility）上首次亮相。 發(fā)表于：9/9/2021 大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi產品的防疫醫(yī)療儀器電源解決方案 2021年9月9日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股 <http://www.wpgholdings.com/>宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP1618的防疫醫(yī)療儀器電源方案。 發(fā)表于：9/9/2021 英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術開發(fā) 【2021年9月8日，德國慕尼黑和日本大阪訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）和松下公司簽署協(xié)議，共同開發(fā)和生產第二代（Gen2）成熟的氮化鎵（GaN）技術，提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性與8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力相結合，標志著英飛凌對氮化鎵功率半導體日益增長的需求的戰(zhàn)略拓展。根據市場需求，Gen2將被開發(fā)為650V GaN HEMT。這些器件將易于使用，并提供更高的性價比，主要針對高功率和低功率SMPS應用、可再生能源、電機驅動應用等。 發(fā)表于：9/9/2021 ?…106107108109110111112113114115…?
