頭條 安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù) 2024年12月10日,功率半導(dǎo)體大廠安森美(onsemi)宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合,使其能應(yīng)對(duì)人工智能(AI)數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對(duì)高能效和高功率密度的需求,還將加速安森美在電動(dòng)汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場(chǎng)的部署。 最新資訊 大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于ST產(chǎn)品的22KW OBC結(jié)合3KW DC/DC汽車充電器方案 2023年4月20日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚集團(tuán)推出與意法半導(dǎo)體(ST)共同開發(fā)的基于STELLAR-E1系列SR5E1芯片的22KW OBC結(jié)合3KW DC/DC直流輸出汽車充電器方案。 發(fā)表于:4/20/2023 使用集成MOSFET限制電流的簡(jiǎn)單方法 電子電路中的電流通常必須受到限制。例如,在USB端口中,必須防止電流過大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣,在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過高會(huì)導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。 發(fā)表于:4/20/2023 氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,越來越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關(guān)頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心,這些應(yīng)用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。 發(fā)表于:4/18/2023 ADALM2000實(shí)驗(yàn):數(shù)模轉(zhuǎn)換 本實(shí)驗(yàn)的目標(biāo)是探討數(shù)模轉(zhuǎn)換的概念,將CMOS反相器用作梯形電阻分壓器的基準(zhǔn)開關(guān)(用于DAC中)。 發(fā)表于:4/17/2023 Vicor 將在 2023 WCX 上展示適用于 xEV 的高性能模塊化電源轉(zhuǎn)換解決方案 隨著汽車產(chǎn)業(yè)迅速向電壓及功率要求更高的全電動(dòng)汽車發(fā)展,電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師正在尋找高密度、輕量級(jí)并且能跨平臺(tái)擴(kuò)展的電源轉(zhuǎn)換解決方案。 發(fā)表于:4/14/2023 意法半導(dǎo)體ST-ONE系列USD PD控制器功率提高到140W 2023 年 4 月 12日,中國 —— 意法半導(dǎo)體推出了率先業(yè)界通過USB-IF的USB Power Delivery Extended Power Range (USB PD 3.1 EPR)規(guī)范認(rèn)證的集成化數(shù)字控制器芯片ST-ONEHP。 發(fā)表于:4/13/2023 充電僅需18秒 新型水系鋅離子電池正極材料問世 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)國家同步輻射實(shí)驗(yàn)室宋禮教授團(tuán)隊(duì),基于插層型鋅離子電池正極材料的同步輻射譜學(xué)表征,提出了插層劑誘導(dǎo)軌道占據(jù)的概念,開發(fā)出具有快速充電性能的銨根插層五氧化 4月10日從中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲悉,該校國家同步輻射實(shí)驗(yàn)室宋禮教授團(tuán)隊(duì),基于插層型鋅離子電池正極材料的同步輻射譜學(xué)表征,提出了插層劑誘導(dǎo)軌道占據(jù)的概念,開發(fā)出具有快速充電性能的銨根插層五氧化二釩鋅離子電池正極材料。相關(guān)成果日前發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《美國科學(xué)院院刊》上。二釩鋅離子電池正極材料。 發(fā)表于:4/12/2023 意法半導(dǎo)體USB供電EPR整體方案獲USB-IF認(rèn)證單個(gè)電源適配器輸出功率高達(dá)140W 2023年4月11日,中國 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布,兩款USB 供電 (USB PD) 擴(kuò)展功率范 (EPR) 芯片獲得USB-IF(USB開發(fā)者論壇)認(rèn)證。這兩款芯片分別用于電源/充電器的適配器端(供電)和設(shè)備端(受電),將通用充電器的輸出功率范圍擴(kuò)展到140W?,F(xiàn)在,只用一個(gè)交流-直流適配器就能給大多數(shù)用電設(shè)備充電,例如,計(jì)算機(jī)、智能家居執(zhí)行器、電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車,以及傳統(tǒng)充電產(chǎn)品,例如,手機(jī)、平板電腦、智能手表。 發(fā)表于:4/11/2023 Qi®充電獲得亟需的安全性能提升 新技術(shù)的出現(xiàn)受到了反對(duì)意見的阻礙,Qi感應(yīng)式充電技術(shù)頗費(fèi)時(shí)日才被廣泛接受。因此,雖然Qi早在2010年就已發(fā)布,但又過了五年才占據(jù)主導(dǎo)地位。自那時(shí)起,無線充電聯(lián)盟(WPC)對(duì)Qi進(jìn)行了重大改進(jìn),但直到2021年初,聯(lián)盟才增加了一項(xiàng)協(xié)議,從而使支持Qi的設(shè)備制造商能夠驗(yàn)證充電器的身份及其對(duì)Qi規(guī)范的遵守情況。這項(xiàng)功能可以剔除那些可能損害甚至損毀其充電產(chǎn)品的充電器,因此無疑是Qi 1.3中最重要的新特性。 發(fā)表于:4/11/2023 實(shí)現(xiàn)高密度電源設(shè)計(jì),TI有源 EMI 濾波器 IC提供了一種新思路 目前在汽車、企業(yè)級(jí)應(yīng)用(包括服務(wù)器、通信電源等)、航空航天、工業(yè)以及 HVAC等應(yīng)用中,電氣系統(tǒng)變得愈發(fā)密集,對(duì)電源要求越來越高,電源功率也越來越大,使得這些應(yīng)用中的 EMI (電磁干擾)變得尤為重要,緩解EMI 成為工程師的一項(xiàng)關(guān)鍵系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。 發(fā)表于:4/7/2023 ?…55565758596061626364…?