FinFET器件結構發(fā)展綜述
所屬分類:技術論文
上傳者:aetmagazine
文檔大小:746 K
標簽: 場效應晶體管 FinFET 器件結構
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文檔介紹:隨著集成電路技術日新月異的發(fā)展,器件尺寸不斷縮小,當場效應晶體管溝道縮短至22 nm以后,傳統(tǒng)平面場效應晶體管不再滿足發(fā)展的需求。FinFET是一種新型的三維器件,由于良好的性能目前被廣泛研究應用。主要介紹了FinFET器件的基礎結構以及基礎工藝流程,以及在基礎結構上所發(fā)展起來的一些改良后的FinFET器件結構。最后結合實際對未來FinFET器件結構的發(fā)展寄予展望。
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