高頻驅動電路與高效GaN HEMT電源模塊的實現(xiàn) | |
所屬分類:技術論文 | |
上傳者:aetmagazine | |
文檔大?。?span>633 K | |
標簽: 氮化鎵 電源模塊 驅動電路 | |
所需積分:0分積分不夠怎么辦? | |
文檔介紹:為了滿足當前電源模塊高效大功率的要求,針對氮化鎵器件設計一款高頻驅動電路,并搭建形成高頻高效的電源模塊。電路通過調節(jié)死區(qū)最小化處理模塊與非重疊模塊,抑制功率器件的大電流直通現(xiàn)象,有助于提升電源模塊的效率;利用氮化鎵器件的高頻特性,使電源系統(tǒng)的工作頻率大幅提升。電源系統(tǒng)測試結果表明,1 MHz時輸出波形上升沿、下降沿時間分別為10 ns和5 ns;10 MHz時輸出波形上升沿、下降沿時間分別為14 ns和8 ns。系統(tǒng)可實現(xiàn)10 W左右的大功率輸出。1 MHz和10 MHz工作頻率下系統(tǒng)達到的效率分別為93.7%和83.5%。 | |
現(xiàn)在下載 | |
VIP會員,AET專家下載不扣分;重復下載不扣分,本人上傳資源不扣分。 |
Copyright ? 2005-2024 華北計算機系統(tǒng)工程研究所版權所有 京ICP備10017138號-2