一種Ku頻段高密度集成的陶瓷SiP封裝R組件的設計
所屬分類：技術論文
上傳者：wwei
文檔大?。?span>7248 K
標簽： 有源相控陣 Ku頻段 SIP
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文檔介紹：針對機載衛(wèi)星通信天線尺寸小、重量輕、可靠性強的需求，結合多層陶瓷轉接板布線靈活、重量輕的特點，BGA封裝I/O口多、體積小的優(yōu)勢，提出了一種基于HTCC工藝SiP-BGA封裝架構的2×4通道Ku頻段雙極化R組件的設計方法。利用電磁仿真軟件對組件中高密度射頻垂直過渡互聯(lián)結構進行了仿真設計，同時設計了一款小型化薄膜功分器，以實現(xiàn)4通道接收信號的合成；此外，為確保組件的射頻性能及工程可實現(xiàn)性，對整個組件的通道隔離度、散熱性進行了仿真計算；最后研制出小型化、高集成度的2×4通道Ku頻段R組件，其體積為13 mm×12.5 mm×2.5 mm，重量小于4 g。組件電性能測試結果與仿真設計結果吻合良好，測試結果表明，該組件在10~12.8 GHz頻段內合成增益大于23 dB，輸入P-1dB不小于-5 dBm。
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