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微波射頻相關(guān)文章

DRAM價(jià)格跌不停

臺(tái)系DRAM廠茂德公布第3季財(cái)報(bào)，一如市場(chǎng)預(yù)期，第3季在沒(méi)有巨額業(yè)外獲利挹注的情況下，虧損持續(xù)擴(kuò)大，稅后虧損達(dá)新臺(tái)幣38.96億元，以減資后股本計(jì)算，每股稅后虧損1.5元。

發(fā)表于：11/2/2010

用于計(jì)算、醫(yī)療和汽車的環(huán)境光傳感器介紹和分析

　隨著近年來(lái)在半導(dǎo)體模擬傳感器和封裝上的進(jìn)步，現(xiàn)在的最終用戶在光傳感器上有了更廣的選擇余地。今天，設(shè)計(jì)者在消費(fèi)類產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用中使用了比以往更多的光傳感器。這主要有幾個(gè)原因，包括改進(jìn)的適光響應(yīng)、小占位、低功耗、高集成度和易用。通常根據(jù)設(shè)計(jì)者和應(yīng)用所需要的功能性、性能和環(huán)境功能性進(jìn)行具體的選型。

發(fā)表于：11/2/2010

2A超級(jí)電容器充電器平衡和保護(hù)便攜式應(yīng)用中的超級(jí)電容器

與電池相比，超級(jí)電容器具有提供更高峰值功率的能力，因此提供了更高的功率密度，而且它們外形尺寸小、在更寬的工作溫度范圍內(nèi)有更長(zhǎng)的充電周期壽命且具有更低的 ESR。與標(biāo)準(zhǔn)陶瓷、鉭或電解質(zhì)電容器相比，超級(jí)電容器的外形尺寸和重量與其類似，但提供更高的能量密度。通過(guò)降低超級(jí)電容器的 Top-Off 電壓，并避免高溫 (>50°C)，可最大限度地延長(zhǎng)電容器的壽命。

發(fā)表于：11/2/2010

基于壓控振蕩器（VCO）的高性能鎖相環(huán)（PLL）設(shè)計(jì)

“鎖相環(huán)”(PLL)是現(xiàn)代通信系統(tǒng)的基本構(gòu)建模塊。PLL通常用在無(wú)線電接收機(jī)或發(fā)射機(jī)中，主要提供“本振”(LO)功能；也可用于時(shí)鐘信號(hào)分配和降噪，而且越來(lái)越多地用作高采樣速率模數(shù)(A/D)轉(zhuǎn)換的時(shí)鐘源。

發(fā)表于：11/2/2010

可飽和電感工作原理

可飽和電感是一種磁滯回線矩形比高、起始磁導(dǎo)率高、矯頑力小、具有明顯磁飽和點(diǎn)的電感，在電子電路中常被當(dāng)作可控延時(shí)開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用。由于具有獨(dú)特的物理特性，可飽和電感在高頻開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)噪聲抑制技術(shù)及大電流輸出輔路穩(wěn)壓技術(shù)等方面也得到了日益廣泛的應(yīng)用。

發(fā)表于：11/1/2010

電容式近距傳感器應(yīng)用與考慮因素

要達(dá)到高靈敏度的電容式近距感測(cè)效果，需要仔細(xì)考慮眾多因素，包括機(jī)械設(shè)計(jì)、傳感器置放位置與設(shè)計(jì)，以及終端應(yīng)用的作業(yè)環(huán)境。仔細(xì)*估各項(xiàng)設(shè)計(jì)考慮因素，有助于避免典型電容式近距傳感器設(shè)計(jì)經(jīng)常遭遇的建置問(wèn)題。本文介紹一些近距感測(cè)常見(jiàn)應(yīng)用，以及能大幅增進(jìn)設(shè)計(jì)成功機(jī)率的考慮要點(diǎn)。

發(fā)表于：11/1/2010

相變化內(nèi)存開(kāi)創(chuàng)新型內(nèi)存系統(tǒng)設(shè)計(jì)

相變化內(nèi)存（PhaseChangeMemory，PCM）是一項(xiàng)全新的內(nèi)存技術(shù)，目前有多家公司在從事該技術(shù)的研發(fā)活動(dòng)。這項(xiàng)技術(shù)集當(dāng)今揮發(fā)性內(nèi)存和非揮發(fā)性內(nèi)存兩大技術(shù)之長(zhǎng)，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術(shù)特性和功能。

發(fā)表于：11/1/2010

國(guó)內(nèi)傳感器亟待規(guī)?；瘧?yīng)用

高工傳感統(tǒng)計(jì)數(shù)字顯示，在2009年傳感器業(yè)務(wù)收入方面，華工科技為1.4億元，大立科技為1.73億元，歌爾聲學(xué)為1.2億元，廣陸數(shù)測(cè)為1.1億元，漢威電子為1.3億元，航天機(jī)電僅有幾千萬(wàn)元。

發(fā)表于：11/1/2010

從名稱認(rèn)識(shí)電容在電路中的作用

電容器在電子電路中幾乎是不可缺少的儲(chǔ)能元件，它具有隔斷直流、連通交流、阻止低頻的特性。廣泛應(yīng)用在耦合、隔直、旁路、濾波、調(diào)諧、能量轉(zhuǎn)換和自動(dòng)控制等電路中。熟悉電容器在不同電路中的名稱意義，有助于我們讀懂電子電路圖。

發(fā)表于：10/31/2010

傳感器芯片設(shè)計(jì)國(guó)產(chǎn)化

目前我國(guó)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)尚處于初創(chuàng)階段，其應(yīng)用前景非常廣闊，未來(lái)將成為我國(guó)新型戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展無(wú)疑給傳感器帶來(lái)了新的機(jī)遇，在物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展下，傳感器發(fā)展前景良好，國(guó)內(nèi)各相關(guān)企業(yè)正加速發(fā)展以搶奪市場(chǎng)。中國(guó)電子元件行

發(fā)表于：10/30/2010

MEMS第三次應(yīng)用浪潮臨近

在二十世紀(jì)90年代早期，汽車安全氣囊系統(tǒng)就開(kāi)始大量采用MEMS加速度計(jì)。在其后的十年中，MEMS技術(shù)的第二次應(yīng)用浪潮被掀起。期間，MEMS技術(shù)被大量應(yīng)用，產(chǎn)品種類逐漸增多，相關(guān)技術(shù)被應(yīng)用到各行各業(yè)。

發(fā)表于：10/30/2010

耦合/隔離技術(shù)解決電子干擾新挑戰(zhàn)

在電子電路系統(tǒng)中，不可避免地存在各種各樣的干擾信號(hào)，若電路的抗干擾能力差將導(dǎo)致測(cè)量、控制準(zhǔn)確性的降低，甚至產(chǎn)生誤動(dòng)作，從而帶來(lái)破壞性的后果。事實(shí)證明，硬件上采用耦合/隔離技術(shù)是一種簡(jiǎn)便且行之有效的方法。

發(fā)表于：10/30/2010

礦用通信電纜的識(shí)別和長(zhǎng)度標(biāo)記概述

礦用通信電纜結(jié)構(gòu)導(dǎo)線退火裸銅線，銅線直徑為0．30，0．42，0．52，0．60，0．70，0．80，0．90(mm)。絕緣材料高密度聚乙烯或聚丙烯，按照全色譜標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)明絕緣線的顏色。絕緣線對(duì)把二根不同顏色的絕緣線按不同的節(jié)距扭絞成對(duì)，并采用規(guī)定的色譜組合以便識(shí)別線對(duì)。通信電纜纜芯結(jié)構(gòu)以1對(duì)為基本單位，超過(guò)25對(duì)的電纜按單位組合，每個(gè)單位用規(guī)定色譜的單位扎

發(fā)表于：10/30/2010

低壓驅(qū)動(dòng)RF MEMS開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)與模擬

RFMEMS開(kāi)關(guān)存在驅(qū)動(dòng)電壓高、開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)等問(wèn)題，利用ANSYS對(duì)電容式開(kāi)關(guān)加以改進(jìn)，設(shè)計(jì)扭轉(zhuǎn)臂杠桿與打孔電容膜相結(jié)合的新型開(kāi)關(guān)。通過(guò)靜電耦合與模態(tài)分析的仿真，可以在理論上改善RFMEMS開(kāi)關(guān)的射頻性能，并有工藝的可行性。

發(fā)表于：10/30/2010

固態(tài)硬盤(pán)備受NAND Flash廠商親賴

固態(tài)硬盤(pán)一直以來(lái)為各家NANDFlash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NANDFlash的使用量來(lái)說(shuō)是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對(duì)于固態(tài)硬盤(pán)對(duì)于NANDFlash消耗量來(lái)說(shuō)有很大的幫助。

發(fā)表于：10/29/2010