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應用于電源監(jiān)控芯片的高精度、低功耗RC振蕩器設計[其他][其他]

基于0.35 μmBCD工藝，設計了一種應用于電源監(jiān)控芯片的單比較器結構的高精度、低功耗RC振蕩器。RC振蕩器電路包括基準模塊和RC電路產生模塊。源于RC電路工作原理以及如何減少溫度、電源電壓的變化對振蕩器頻率的影響。引入新型電源電壓補償，減少了由電源電壓變化引起的比較器遲滯時間的變化，導致振蕩器頻率發(fā)生改變。采用MOS管穩(wěn)態(tài)導通電阻具有正溫度系數(shù)特性，補償多晶電阻負溫度系數(shù)特性的線性補償方式，抑制了振蕩頻率隨溫度的變化。同時設計了一種帶5位譯碼器高精度、低功耗數(shù)字修調電路，有效提高了MOS管導通電阻的精度，克服了傳統(tǒng)溫度補償電路補償電阻阻值不精確的問題。Spectre仿真結果顯示，電源電壓在2.5 V~5.5 V范圍變化，振蕩周期誤差范圍為-0.8%~+0.14%，溫度在-40 ℃~125 ℃范圍變化，振蕩周期誤差范圍為-0.3%~+0.79%。整個RC振蕩器電路最大工作電流為5.1 μA，其中RC電路產生模塊最大工作電流為0.9 μA。RC電路產生模塊結構簡單，降低了電路復雜性從而減少電路的實現(xiàn)成本，該電路結構已成功應用于高精度、低功耗電源監(jiān)控芯片中。

發(fā)表于：10/12/2022