?? 富士通(Fujitsu)微電子(上海)有限公司日前宣布推出兩款新型消費(fèi)類FCRAM存儲(chǔ)器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口，是業(yè)界首推的將工作溫度范圍擴(kuò)大至125℃的芯片。富士通微電子已開始提供這兩款新型FCRAM產(chǎn)品。這兩款低功耗存儲(chǔ)器適用于數(shù)字電視、數(shù)字視頻攝像機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)。
如果SiP架構(gòu)上的片上系統(tǒng)(SoC)整合了新型FCRAM芯片，當(dāng)SiP工作速度提高導(dǎo)致工作溫度上升時(shí)，存儲(chǔ)器也不會(huì)對(duì)操作造成影響或限制，客戶將從中受益。此外，它還具有其它優(yōu)勢(shì)，如可降低產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)難度，節(jié)省電路板空間，并減少元器件數(shù)量。
?? 目前，市場(chǎng)對(duì)消費(fèi)類數(shù)字產(chǎn)品的性能、速度和開發(fā)成本的要求越來越高。為滿足這些需求，就會(huì)更多地使用SiP，要求它同時(shí)整合帶有SoC的存儲(chǔ)器芯片。使用SiP可以減少元器件數(shù)量并節(jié)省電路板空間，進(jìn)而能夠降低系統(tǒng)成本。使用SiP還能簡(jiǎn)化高速存儲(chǔ)器開發(fā)或采取降噪措施等設(shè)計(jì)。
?? 即使在125℃的環(huán)境下運(yùn)行，這些新型FCRAM產(chǎn)品也可以提供傳統(tǒng)DDR SDRAM存儲(chǔ)器兩倍的數(shù)據(jù)傳輸率，同時(shí)還能保持低功耗。事實(shí)上，與傳統(tǒng)的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗達(dá)50%。所以，這些新型FCRAM可以減少消費(fèi)類電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)器的二氧化碳排放達(dá)50%。