應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)加入了領(lǐng)先納米電子研究中心imec的多合作伙伴業(yè)界研究及開(kāi)發(fā)項(xiàng)目，共同開(kāi)發(fā)下一代硅基氮化鎵(GaN-on-Si)功率器件。

氮化鎵具有優(yōu)異電子遷移率、更高擊穿電壓及良好導(dǎo)熱性的特性，使其非常適合于要求高開(kāi)關(guān)能效的功率器件及射頻(RF)器件。如今，基于氮化鎵的功率器件成本過(guò)高，不適合大批量制造，因?yàn)樗鼈兪褂梅菢?biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)工藝在小半徑的晶圓上制造。

imec的廣泛規(guī)模研究項(xiàng)目著重于開(kāi)發(fā)200 mm晶圓上的硅基氮化鎵技術(shù)，及降低氮化鎵器件成本和提升性能。imec匯聚領(lǐng)先集成器件制造商(IDM)、晶圓代工廠、化合物半導(dǎo)體公司、設(shè)備供應(yīng)商及襯底供應(yīng)商，已經(jīng)卓有成效地取得重大技術(shù)進(jìn)步。

2011年，imec的研究項(xiàng)目成功地生產(chǎn)出200 mm硅基氮化鎵晶圓，該工藝讓標(biāo)準(zhǔn)高生產(chǎn)率200 mm晶圓廠隨手可得。此外，imec開(kāi)發(fā)了兼容于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝及工具的制造工藝，這是高性價(jià)比工藝的第二個(gè)先決條件。

安森美半導(dǎo)體高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官(CTO)Hans Stork說(shuō)：“身為提供寬廣陣容高能效器件的全球20大半導(dǎo)體供應(yīng)商之一，安森美半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)研究已持之多年，如今正在公司的比利時(shí)Oudenaarde生產(chǎn)廠建設(shè)氮化鎵工藝線。與imec合作，將鞏固我們現(xiàn)有的市場(chǎng)地位，并將可幫助我們?yōu)榭蛻粼黾佑懈?jìng)爭(zhēng)力的前沿技術(shù)。我們期待與想法相近的公司聯(lián)盟協(xié)作，在此領(lǐng)域進(jìn)行前瞻性研究。”

imec智能系統(tǒng)及能源技術(shù)副總裁Rudi Cartuyvels說(shuō)：“我們的硅基氮化鎵聯(lián)合項(xiàng)目持續(xù)出現(xiàn)非凡進(jìn)展，不斷推動(dòng)降低生產(chǎn)成本。安森美半導(dǎo)體最新加盟成為策略項(xiàng)目合作伙伴，進(jìn)一步推進(jìn)我們的集體專知。充分利用聯(lián)合研究將幫助我們克服邁向經(jīng)濟(jì)的大批量制造的下一個(gè)關(guān)卡，最終將氮化鎵功率器件面市。”

圖片：imec采用200 mmCMOS兼容型硅基氮化鎵工藝的功率器件

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