下個月，搭載驍龍 820 處理器的手機就要集體出動了，比如三星 Galaxy S7 手機，HTC M10 等等。然而，在這些驍龍 820 手機閃耀登場之前，就已經(jīng)有驍龍 830 的消息傳出來了。我們一起來看看。

　　根據(jù)最新爆料，下一代高通移動處理器驍龍 830（MSM8998）將采用改進的 Kryo 架構，最大支持 8GB 內(nèi)存，使用三星 10nm 工藝制造，該處理器預計會在今年下半年發(fā)布，然后被搭載在 2017 年的智能手機上。

　　高通驍龍 830 支持 8GB 內(nèi)存，這意味著明年將會有 8GB 內(nèi)存的手機誕生，這恐怕是要上天的節(jié)奏。今年安卓高端智能手機的內(nèi)存預計普遍為 4GB，比如 Galaxy S7 手機。事實上，上一年，Galaxy Note 5 就已經(jīng)搭載 4GB RAM。

　　在制造工藝上，驍龍 830 采用的 10nm 工藝也是一大亮點，作為對比，驍龍 820 采用的是三星 14nm 工藝制造，具體說來是第二代的 14nm 工藝。14nm LPP 可以讓芯片在變得更小的同時，進一步提升性能并降低能源消耗。

　　據(jù)三星自己的說法，通過改善晶體管結構和進程優(yōu)化，第二代的 14nm LPP 工藝相比第一代 14nm LPE 工藝能實現(xiàn) 15% 的速度提升，和降低 15% 的功耗。三星未來會逐步放棄 14nm LPE。

　　今年，高通將驍龍 820 的代工交給三星負責。對于此次與三星的合作，高通表示，三星電子將成為該公司最新旗艦移動處理器的唯一制造商，這對于和規(guī)模更大的對手臺積電競爭的三星而言，將是一個重大促進。

　　如果今年的合作順利，明年，高通將繼續(xù)和三星合作，采用三星的 10nm 工藝制程。10nm 工藝與現(xiàn)在 14nm 工藝相比具有很多優(yōu)勢，包括空間占用減少了 40%，并且在保持相同性能的情況下，能耗也會大幅降低。

　　此外，三星電子半導體事業(yè)部總裁 Kim Ki-nam 曾經(jīng)表示，采用 10 nm FinFET 制程技術的芯片不但更加省電、體積也更小。

　　去年7月份，三星電子旗下的制造部門 Samsung Foundry 的 Kelvin Low 曾經(jīng)在網(wǎng)絡發(fā)布了一段視頻，確認三星已經(jīng)將 10nm FinFET 工藝正式加入路線圖。

　　緊跟在三星之后，臺積電將會在今年第一季度完成 10nm 制造工藝的流片，并在第四季度進入全面量產(chǎn)階段，以此來對競爭對手三星進行反擊。

　　此外，臺積電 7nm 研發(fā)一如預期，預計將在 2018 年上半年量產(chǎn)，而更為恐怖的 5nm 制程工藝也有可能于 2020 年正式誕生。

　　雖然三星和臺積電都在發(fā)力 10nm 工藝，但英特爾的腳步卻放慢了些。2016 年第二季度，英特爾還將發(fā)布 14nm 處理器，這將是第三代 14nm 英特爾處理器，也就是 Kaby Lake，它會在 Skylake 的基礎上做關鍵的性能增強，并為轉換到 10nm 工藝做好充分的鋪墊。英特爾的 10nm 處理器將要等到 2017 年才會到來，代號為 Cannon Lake。