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HBM3E內(nèi)存競(jìng)賽升溫

三星 4 月出擊,美光已領(lǐng)先一步
2025-04-11
來(lái)源:IT之家
關(guān)鍵詞: HBM 內(nèi)存 三星 美光

4 月 10 日消息,韓媒 Sedaily 于 4 月 8 日發(fā)布博文,報(bào)道稱(chēng)在美國(guó)新關(guān)稅政策的不確定性下,存儲(chǔ)巨頭們并未放緩腳步,反而加速角逐 HBM3E 市場(chǎng)。

IT之家援引博文報(bào)道,三星調(diào)整了 HBM3E 產(chǎn)品設(shè)計(jì),計(jì)劃今年 4 月向英偉達(dá)大規(guī)模供應(yīng) 8H 版本。另一家韓國(guó)媒體 EBN 透露,若進(jìn)展順利,三星 12 層 HBM3E 有望 5 月獲得英偉達(dá)認(rèn)證。

SK 海力士長(zhǎng)期稱(chēng)霸 HBM 市場(chǎng),但美光正迎頭趕上。另一家韓媒 Sisa Journal 指出,美光 3 月已通過(guò) 12 層 HBM3E 驗(yàn)證,并開(kāi)始交付,支持英偉達(dá)最新 B300 產(chǎn)品。

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該媒體分析認(rèn)為美光的 DRAM 總產(chǎn)能雖然不及 SK 海力士,但其 10nm-class 1b 先進(jìn)工藝占比更高。這讓美光在產(chǎn)品質(zhì)量上占優(yōu),尤其在 HBM 關(guān)鍵的散熱管理方面表現(xiàn)突出。

此外存儲(chǔ)巨頭也在加速推進(jìn) HBM4 競(jìng)賽。三星計(jì)劃 2025 年實(shí)現(xiàn) HBM4 量產(chǎn),但其 10nm 1c DRAM 工藝尚未成熟,目標(biāo)充滿挑戰(zhàn)。

Business Korea 早前提到,美光預(yù)計(jì) 2026 年推出 HBM4,而 2025 下半年生產(chǎn)的 HBM 多為 12 層產(chǎn)品。兩大巨頭在技術(shù)升級(jí)上各有布局,未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)將更激烈。


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