新器件將快閃存儲控制器擴展至主流領域

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布了Flashtec? NVM Express (NVMe) 2108八通道控制器的量產版本，推動全球范圍主要的企業(yè)和數據中心實現高成本效益和高功效的大容量固態(tài)硬盤(SSD)。這個器件以強大的主流性能，并且支持16GB和更大容量，擴展美高森美在NVMe控制器領域的領導地位?？蛻艨梢酝ㄟ^高固件可重用性，最大限度地減少工程技術開支，并且獲得Flashtec NVMe 控制器產品線的架構一致性。新控制器系列使用17x17mm封裝供貨，支持包括M.2、U.2和半高半長(HHHL)插入卡的全部流行外形尺寸。

　　美高森美高性能存儲副總裁兼業(yè)務部門經理Derek Dicker表示：“我們的量產版本Flashtec NVMe2108控制器使得客戶不僅獲得他們所要求的美高森美企業(yè)級特性和成熟的企業(yè)級架構，并且具有更低的功耗和成本結構，以符合主流PCIe領域的要求。我們期待充分利用這些器件把握令人興奮的市場增長機會，并且，我們將會繼續(xù)利用公司精深的專業(yè)技術來提供PCIe NVMe SSD控制器解決方案，服務于嚴苛的存儲系統(tǒng)、服務器和機架式可擴展架構 數據中心應用?！?/p>

　　根據市場研究機構IDC題為“2017至2021年全球范圍固態(tài)硬盤預測”(Worldwide Solid State Drive Forecast, 2017-2021)報告，這個行業(yè)繼續(xù)快速轉向基于PCIe的 SSD產品，預計到2021年將會占企業(yè)SSD銷售額的50%以上。隨著NVMe SSD價位接近相近的串行先進技術附著(SATA) SSD器件，正在取而代之，成為了其增長的主要驅動力。

　　Micron存儲產品營銷副總裁Eric Endebrock表示：“美高森美發(fā)布全新Flashtec器件，顯示該公司繼續(xù)加快在主流企業(yè)市場中采用PCIe 閃存。這些主流控制器支持大容量，這與利用Micron快速產量爬坡的64 層512Gb 3D TLC和未來技術是一致的?！?/p>

　　東芝存儲器公司技術高管Hiroo Ohta表示：“美高森美和東芝存儲器公司建立了長期的合作關系，在市場推出同級最佳的PCIe SSD解決方案。我們相信美高森美全新控制器產品和我們的BiCS FLASH TLC，以及即將推出的創(chuàng)新QLC技術，將會引發(fā)擴大企業(yè)和數據中心市場的新機會?！?/p>

　　Flashtec NVMe2108控制器具有成熟的架構，以及面向主流應用并且經過優(yōu)化的功耗和成本特性，同時保持了包括雙端口、獨立擴頻參考時鐘(SRIS)功能和端至端數據保護功能的企業(yè)級特性。因其提供可編程的架構， 通過自定義固件實現使能SSD產品差異化。它們的自適應低密度奇偶校驗碼(LDPC)可以支持現有和未來數代符合Toggle and Open NAND Flash Interface (ONFI)標準的閃存，包括雙數位單（MLC) 和三數位單元（TLC），以及未來產品開發(fā)中的QLC。NVMe2108HC和NVMe2108LC變異型款支持不同的容量點，以期符合特定的行業(yè)需求。

　　光寶集團(Liteon Storage Group)首席技術官Andy Hsu表示：“我們對于美高森美NVMe2108控制器的技術功能印象深刻，這些創(chuàng)新器件可讓我們滿足日益提升的性能、容量和企業(yè)功能特性，這些都是Liteon數據中心客戶所要求的?！?/p>

　　SK 海力士公司NAND產品規(guī)劃辦公室主管副總裁 S.H. Choi表示：“美高森美全新主流SSD控制器與NAND容量和LDPC趨勢完美配合，可以支持數代產品開發(fā)工作。SK 海力士公司下一代72 層3D NAND和美高森美的先進LDPC技術將是SSD產品的完美技術結合?！?/p>