《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁(yè) > 嵌入式技術(shù) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 高通新芯片轉(zhuǎn)單臺(tái)積電,三星再失大客戶

高通新芯片轉(zhuǎn)單臺(tái)積電,三星再失大客戶

2018-10-29

手機(jī)芯片龍頭高通(Qualcomm)新款旗艦手機(jī)芯片已完成設(shè)計(jì)定案(tape-out),確定將採(cǎi)用臺(tái)積電7納米制程,供應(yīng)鏈傳出,高通新款手機(jī)芯片已經(jīng)在第四季量產(chǎn)投片,最大的特色是整合類神網(wǎng)路運(yùn)算單元(NPU)及支援5G,可大幅提升人工智慧邊緣運(yùn)算效能,預(yù)期包括三星、華為、OPPO、Vivo等非蘋陣營(yíng)手機(jī)大廠均將採(cǎi)用,最快明年第一季終端手機(jī)可望上市。


新一代的旗艦手機(jī)芯片


高通目前Snapdragon 8系列的手機(jī)芯片主要採(cǎi)用三星晶圓代工(Samsung Foundry)10納米制程投片,雖然三星已宣布支援極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7納米制程開(kāi)始量產(chǎn),但臺(tái)積電7納米已量產(chǎn)進(jìn)入第三個(gè)季度。


也因此,隨著蘋果及華為的自制手機(jī)芯片已導(dǎo)入臺(tái)積電7納米制程量產(chǎn),高通基于上市時(shí)間的考量,新一代旗艦手機(jī)芯片亦採(cǎi)用臺(tái)積電7納米投片。


業(yè)界人士指出,高通最新款旗艦手機(jī)芯片將于第四季在臺(tái)積電7納米制程量產(chǎn)投片,同時(shí)將可望于明年第一季搭載終端裝置在市面上問(wèn)世,并將會(huì)是高通首款支援5G數(shù)據(jù)機(jī)芯片的行動(dòng)平臺(tái)。目前正式名稱在市場(chǎng)上眾說(shuō)紛紜,可能將會(huì)延用上一代命名方式,取名做Snapdragon 855或是Snapdragon 8150。


高通本次採(cǎi)用臺(tái)積電7納米制程投片,芯片運(yùn)算效能將可望相較前一代提升不少,功耗亦可明顯降低,而最大的特色在于,高通首度將支援人工智慧運(yùn)算的NPU處理單元整合進(jìn)入手機(jī)芯片當(dāng)中,并同支援5G數(shù)據(jù)機(jī),使人工智慧邊緣運(yùn)算速度明顯增加。


非蘋陣營(yíng)高階機(jī)種采用


事實(shí)上,高通積極推動(dòng)5G在明年商用化,由于初期各項(xiàng)產(chǎn)業(yè)鏈在5G投資成本依舊高昂,因此高通也看準(zhǔn)這點(diǎn),僅會(huì)在明年初期將5G芯片導(dǎo)入旗艦手機(jī)平臺(tái),搶攻三星、小米、OPPO、Vivo等安卓高階機(jī)種訂單,預(yù)料明年下半年后才會(huì)把5G最新規(guī)格逐步下放到中低階機(jī)種,屆時(shí)將會(huì)與聯(lián)發(fā)科面對(duì)面戰(zhàn)爭(zhēng)。


此外,高通推出的快充規(guī)格Quick Charge目前最新版為QC 4+,但隨著新款手機(jī)芯片推出,將可望推出新規(guī)格。供應(yīng)鏈指出,高通預(yù)計(jì)將于明年推出QC 5最新快充規(guī)格,將可望將最高輸出功率從原先的27W提升至32W,并在充電設(shè)計(jì)上從2條電路該改為3條電路輸出,讓充電效率提升,同時(shí)不讓溫度明顯增加。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題,請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。