May 20, 2019 ---- 不論是DRAM或NAND Flash，現(xiàn)有的存儲器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限，這意ζ著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。為了在有限甚至不改變現(xiàn)有平臺架構的前提下找到新的解決方案，Intel Optane等次世代存儲器近年來廣受討論。

　　家認為，次世代存儲器與現(xiàn)有解決方案各有優(yōu)劣，最關鍵的機會點仍是在于價格。專家還表示，目前包含Intel、三星與美光等存儲器廠商皆已投入次世代存儲器解決方案，如MRAM、PRAM和RRAM等。

　　以Intel為例，Optane是以3DxPoint為設計基礎的服務器類產(chǎn)品，由于現(xiàn)在已經(jīng)推出與市面上服務器模組能夠完全兼容的DIMM。對主機板設計廠而言，同樣的插槽可以依據(jù)整機成本的考量，自由更換服務器存儲器模組或Optane解決方案。

　　然而，由于次世代存儲器尚δ規(guī)?；c標準化，因此成本較高，所以廠商目前幾乎都鎖定在資料中心等特殊應用，尤其是超大規(guī)模資料中心擁有相對高程度的客制化設計，可以針對不同存儲器規(guī)劃新的配置。

　　近年來由于智能終端裝置的普及加上人工智能技術逐漸成熟，使得大部分應用服務皆借由服務器來進行整合，尤其是需要倚賴龐大數(shù)據(jù)進行運算與訓練的應用服務。此外，伴隨著虛擬化平臺及云儲存技術的發(fā)展，服務器需求與日俱增，同時也帶動超大規(guī)模資料中心(hyperscale datacenter)的成長。

　　根據(jù)集邦咨詢調查顯示，全球超大規(guī)模資料中心的建置數(shù)量將于2025年預計達1,070座，2016年至2025年CAGR達13.7%。

　　現(xiàn)有存儲器價格有望在2020年止跌反彈，成為次世代存儲器切入機會點

　　從市場面來看，DRAM與NAND目前皆處于供過于求的狀態(tài)，使得現(xiàn)有存儲器解決方案價格仍維持在低點。以DRAM來說，價格持續(xù)下跌基本上是受到服務器與智能手機需求下滑的影響，從而導致消耗量急凍與庫存攀高;而NAND則是因為競爭者眾多，而陷入市占爭奪的狀態(tài)，且由2D NAND轉向不同程度的3D NAND造成供給λ元大幅度增長。綜合以上所述，2019年的DRAM與NAND價格同時快速滑落，而且NAND的價格正逐漸逼近廠商的現(xiàn)金成本。

　　現(xiàn)有存儲器解決方案價格越來越便宜，對次世代存儲器來說并非最好的切入點，但展望δ來，需求?續(xù)回溫與價格彈性所帶動的庫存回補動能，可望帶動2020年的存儲器價格止跌反彈，讓次世代解決方案有機會打入市場。

　　專家認為，市場在δ來的幾年間，將會在特殊領域當中逐漸增加次世代存儲器的考量與運用，成為現(xiàn)有解決方案的另一個新選項。