據(jù)外媒報(bào)道，三星電子正在考慮用3nm工藝制造芯片，三星實(shí)際領(lǐng)導(dǎo)人李在镕在參觀位于京畿道華城的半導(dǎo)體研發(fā)中心時(shí)，特地探討了圍繞3nm的半導(dǎo)體戰(zhàn)略。

　　據(jù)了解，三星的半導(dǎo)體戰(zhàn)略計(jì)劃是采用正在研發(fā)中的最新3nm全柵極（GAA）工藝技術(shù)來(lái)制造尖端芯片，并提供給全球客戶(hù)。GAA被認(rèn)為是當(dāng)前FinFET技術(shù)的升級(jí)版，能確保芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片體積。

　　圍繞GAA，三星電子表示，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率比5nm制造工藝提高35％，功耗降低50％，性能方面則提高約30％。

　　三星在10nm、7nm及5nm節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度都會(huì)比臺(tái)積電要晚一些，導(dǎo)致臺(tái)積電幾乎包攬了目前的7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過(guò)三星已經(jīng)把目標(biāo)放在了未來(lái)的3nm工藝上，預(yù)計(jì)2021年量產(chǎn)，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)要早于臺(tái)積電。

　　據(jù)悉，臺(tái)積電原計(jì)劃于2023年量產(chǎn)3nm制程的處理器，但是根據(jù)臺(tái)積電晶圓廠(chǎng)業(yè)務(wù)高級(jí)副總裁JK Wang的最新說(shuō)法，這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)已經(jīng)提前一年，將于2022年可似乎3nm工藝的規(guī)模量產(chǎn)。規(guī)模量產(chǎn)，意味著臺(tái)積電已經(jīng)具備滿(mǎn)足多家客戶(hù)、不同產(chǎn)品上市需求的產(chǎn)能和良品率。從量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)來(lái)看，雖然三星在3nm工藝上要早于臺(tái)積電一年，不過(guò)最后結(jié)果如何，目前依舊不能下定論。