新能源汽車的成本構(gòu)成中，除了動(dòng)力電池外，電控系統(tǒng)以 15~20%的成本占比位列第二。在電控系統(tǒng)成本中，IGBT 成本占比高達(dá) 40%，是電控系統(tǒng)中最重要的構(gòu)成器件，主要作用是進(jìn)行交流電和直流電的轉(zhuǎn)換、電壓高低的轉(zhuǎn)換。

　　功能上，IGBT 主要應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)、電動(dòng)控制系統(tǒng)、空調(diào)控制系統(tǒng)和充電系統(tǒng)。對(duì)于混合動(dòng)力汽車，與低壓系統(tǒng)相獨(dú)立的高壓系統(tǒng)也需要用到 IGBT。在新能源汽車領(lǐng)域，IGBT 作為電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，直接影響電動(dòng)車功率的釋放速度、汽車加速能力和最高時(shí)速等，重要性不言而喻。

　　由于 IGBT 具有更好的耐高壓特性，當(dāng)前在 650V 以上應(yīng)用場(chǎng)景被廣泛使用。相比硅基 MOSFET，IGBT 優(yōu)點(diǎn)是導(dǎo)通壓降小，耐高壓，傳輸功率可以達(dá)到 5000W。IGBT 下游應(yīng)用主要依據(jù)工作電壓高低劃分，車規(guī)級(jí) IGBT 電壓多位于 650~1200V 區(qū)間場(chǎng)景。

　　本篇文章就來對(duì)本土車規(guī)級(jí) IGBT 的發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)格局與未來趨勢(shì)進(jìn)行分析，在現(xiàn)狀中認(rèn)清差距，在趨勢(shì)中窺見轉(zhuǎn)機(jī)。

　　本土產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

　　近兩年，隨著新能源汽車的快速發(fā)展，IGBT 也迎來了爆發(fā)。據(jù)集邦咨詢《2019 中國(guó) IGBT 產(chǎn)業(yè)發(fā)展及市場(chǎng)報(bào)告》顯示，2018 年中國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模約為 153 億元，同比增長(zhǎng) 19.91%。受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)增長(zhǎng)，到 2025 年，中國(guó) IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 522 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率近 20%。

　　我國(guó)是車規(guī)級(jí) IGBT 的主要市場(chǎng)之一，約占全球市場(chǎng)份額超過 30%，但中高端 IGBT 主流器件市場(chǎng)基本被歐美、日本企業(yè)壟斷，比如英飛凌、富士電機(jī)、三菱等外資企業(yè)，我國(guó) IGBT 產(chǎn)品對(duì)外依賴度近 95%，呈現(xiàn)寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。

　　國(guó)內(nèi)研發(fā)車規(guī)級(jí) IGBT 的企業(yè)較少，或與其研發(fā)、生產(chǎn)的高難度有關(guān)。

　　比亞迪的孤單

　　在比亞迪入局 IGBT 之前，國(guó)內(nèi)自主研發(fā)的 IGBT 幾乎一片空白，基本被外資企業(yè)壟斷。

　　圖源 | mydrives.com

　　比亞迪微電子公司（比亞迪半導(dǎo)體公司前身）成立于 2004 年，初期主要承擔(dān)著比亞迪集團(tuán)集成電路及功率器件的開發(fā)、整合、晶圓等生產(chǎn)任務(wù)，主要經(jīng)營(yíng)功率半導(dǎo)體器件、IGBT 功率模塊、CMOS 圖像傳感器、電源管理 IC、傳感及控制 IC 等產(chǎn)品。其中，IGBT 是比亞迪半導(dǎo)體的拳頭產(chǎn)品。

　　從 F3DM 采用的 IGBT 1.0 芯片，大規(guī)模配置于 e6、K9 等新能源車型上的 IGBT 2.5 芯片模塊，到去年推出的 IGBT 4.0 芯片，比亞迪的 IGBT 芯片已經(jīng)研發(fā)了超過十年，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)貫通新能源汽車 IGBT 芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、仿真測(cè)試以及整車測(cè)試等全產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)。

　　近日，比亞迪 IGBT 項(xiàng)目在長(zhǎng)沙正式動(dòng)工。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資 10 億元，將建成年產(chǎn) 25 萬片 8 英寸新能源汽車電子芯片生產(chǎn)線，投產(chǎn)后可滿足年裝車 50 萬輛新能源汽車的產(chǎn)能需求，預(yù)計(jì)年度營(yíng)業(yè)收入可達(dá) 8 億元，實(shí)現(xiàn)利潤(rùn)約 4000 萬元。

　　比亞迪電控、IGBT 模塊等零部件背靠集團(tuán)新能源汽車的發(fā)展，成為市場(chǎng)中亮眼的存在。比亞迪已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)中裝機(jī)量最多的電控供應(yīng)商，IGBT 部分也成為國(guó)內(nèi)新能源汽車電控用功率模塊裝機(jī)量數(shù)一數(shù)二的供應(yīng)商。

　　有數(shù)據(jù)顯示，2019 年，英飛凌為國(guó)內(nèi)電動(dòng)乘用車市場(chǎng)供應(yīng) 62.8 萬套 IGBT 模塊，市占率達(dá)到 58%。而比亞迪供應(yīng)了 19.4 萬套，市占率達(dá)到 18%（按最新數(shù)據(jù)估算，其在中國(guó)車規(guī)市場(chǎng)的份額已達(dá) 22.1%）。可以說，比亞迪緩解了我國(guó)車規(guī)級(jí) IGBT 芯片市場(chǎng)一直被外企“卡脖子”的局面。

　　2019 年，比亞迪 IGBT 自供比率約 70%，盡管比亞迪打破了國(guó)際巨頭的壟斷，但其對(duì)外供應(yīng)量?jī)H 4 萬多套，可以看出比亞迪還是相當(dāng)保守的。因此，4 月 14 日比亞迪宣布通過整合公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、成立了獨(dú)立的“比亞迪半導(dǎo)體有限公司”，擴(kuò)大 IGBT 業(yè)務(wù)量，下一步的規(guī)劃是讓 IGBT 的外供比例爭(zhēng)取超過 50%。

　　小結(jié)：目前比亞迪在國(guó)內(nèi)新能源汽車用 IGBT 市場(chǎng)的份額只有 20%左右，市場(chǎng)絕大部分仍掌握在英飛凌、三菱等外資企業(yè)手里，比亞迪占據(jù)的市場(chǎng)份額并不算高。放眼全球 IGBT 市場(chǎng)，比亞迪所占據(jù)的市場(chǎng)份額更是不足 2%，差距巨大。

　　比亞迪的孤單，不僅體現(xiàn)在 IGBT 技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)份額上的種種差距，更在于關(guān)鍵零部件領(lǐng)域自主品牌弱勢(shì)的行業(yè)積淀和產(chǎn)業(yè)生態(tài)現(xiàn)狀。

　　由此來看，比亞迪和國(guó)內(nèi) IGBT 企業(yè)們的追趕之路并不好走。但縱使路漫漫其修遠(yuǎn)兮，還望上下而求索

　　斯達(dá)半導(dǎo)體

　　國(guó)際巨頭壓力之外，比亞迪還面臨著來自本土競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手——斯達(dá)半導(dǎo)體帶來的挑戰(zhàn)。

　　根據(jù) IHS Markit 2018 年報(bào)告，斯達(dá)半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)唯一進(jìn)入全球前十的 IGBT 模塊廠商。相較于比亞迪半導(dǎo)體的 IGBT 技術(shù)從 1.0 迭代到 4.0（相當(dāng)于國(guó)際第五代），斯達(dá)半導(dǎo)的 IGBT 技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了第六代，基于第六代 Trench Field Stop 技術(shù)的 IGBT 芯片及配套的快恢復(fù)二極管芯片已在新能源汽車行業(yè)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。

　　根據(jù)今年公司上市時(shí)披露的數(shù)據(jù)來看，斯達(dá)半導(dǎo)體 2019 年生產(chǎn)的車規(guī)級(jí) IGBT 模塊已經(jīng)配套了超過 20 家終端汽車品牌，合計(jì)配套超過 16 萬輛新能源汽車，此外適用于燃油車的 BSG 功率組件順利通過了主流汽車廠商的認(rèn)證，打開了傳統(tǒng)汽車市場(chǎng)。其中，斯達(dá)半導(dǎo)的子公司 StarPower Europe AG 使用自主芯片的 IGBT 模塊在歐洲市場(chǎng)已被包括新能源汽車行業(yè)在內(nèi)的客戶接受并批量采購，步伐邁入全球化。

　　小結(jié)：斯達(dá)半導(dǎo)體與比亞迪相比：比亞迪 IGBT 業(yè)務(wù)有著自身新能源汽車產(chǎn)業(yè)做背書，使其產(chǎn)品研發(fā)和應(yīng)用落地獲益，此為優(yōu)勢(shì)；

　　然而，“水能載舟，亦能覆舟”，或許也正是由于比亞迪本身有整車業(yè)務(wù)，進(jìn)而難以讓其他車企真正放下心中的芥蒂，使用比亞迪的 IGBT 產(chǎn)品。此為劣勢(shì)。

　　相信斯達(dá)半導(dǎo)體的崛起對(duì)于比亞迪和本土 IGBT 產(chǎn)業(yè)來講不是壞事。畢竟，“一枝獨(dú)秀不是春，百花齊放春滿園”。

　　國(guó)內(nèi)其它企業(yè)

　　此外，國(guó)內(nèi)還有中車、士蘭微、揚(yáng)杰科技、宏微科技等企業(yè)在進(jìn)行車規(guī)級(jí) IGBT 的研發(fā)和生產(chǎn)。隨著國(guó)家的高度重視和大力扶持，國(guó)內(nèi)在 IGBT 研發(fā)方面確實(shí)已經(jīng)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，本土 IGBT 產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成。

　　但基于國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，再加上 IGBT 本身設(shè)計(jì)門檻高、制造技術(shù)難、投資大，國(guó)內(nèi)相關(guān)人才又較為缺乏，在設(shè)計(jì)、測(cè)試以及封裝等核心技術(shù)方面還積累不夠，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在 IGBT 市場(chǎng)一直處于弱勢(shì)地位。

　　整體來看，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)仍以中低端為主，在高端產(chǎn)品方面目前國(guó)際廠商仍占據(jù)著絕對(duì)優(yōu)勢(shì)地位，供需一直存在較大缺口，技術(shù)差距短期內(nèi)或較難追平。

　　IGBT 市場(chǎng)格局：外企壟斷之下，本土產(chǎn)業(yè)痛點(diǎn)何在？

　　自 1985 年前后美國(guó) GE 成功試制工業(yè)樣品以來，IGBT 經(jīng)過 30 多年的發(fā)展，如今已發(fā)展到第 7 代技術(shù)。第 7 代由三菱電機(jī)在 2012 年推出，富士電機(jī)則從 2015 年就開始對(duì)外提供 IGBT 模塊第七代產(chǎn)品的樣品。而比亞迪 2018 年 12 月才發(fā)布 IGBT 4.0 技術(shù)（也就是國(guó)際上第五代技術(shù)），其中的差距不言而喻。

　　根據(jù) IHS 統(tǒng)計(jì)，2018 年僅英飛凌、三菱、富士電機(jī)、安森美、ABB 五大廠商在 IGBT 領(lǐng)域占據(jù)的市場(chǎng)份額接近 70%，其中排在第一位的英飛凌市場(chǎng)份額高達(dá) 34.5%。目前國(guó)內(nèi) IGBT 產(chǎn)品的研發(fā)與國(guó)際大廠相比還存在很大差距，核心技術(shù)均掌握在外資企業(yè)手中，IGBT 技術(shù)集成度高的特點(diǎn)又導(dǎo)致了較高的市場(chǎng)集中度。

　　國(guó)內(nèi) IGBT 技術(shù)(芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝)目前尚處于起步階段。本土企業(yè)在研發(fā)與制造工藝上與世界先進(jìn)水平差距較大。而且，IGBT 是關(guān)鍵設(shè)備上的核心部件，供應(yīng)切換具有非常高的風(fēng)險(xiǎn)，這也制約了我國(guó) IGBT 技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)品的應(yīng)用。

　　形成上述局面的原因可以概括為以下幾個(gè)方面。

　　國(guó)際廠商起步早，形成了較高的行業(yè)壁壘

　　國(guó)內(nèi) IGBT 產(chǎn)業(yè)化起步較晚且基礎(chǔ)薄弱，例如比亞迪、斯達(dá)半導(dǎo)體 2005 年才開始成立 IGBT 團(tuán)隊(duì)，而英飛凌 1999 年就從西門子拆分出來，且之前就已經(jīng)有了很深的技術(shù)積累，技術(shù)差距短期內(nèi)很難追平。

　　再加上 IGBT 本身設(shè)計(jì)門檻高、制造技術(shù)難、投資大、國(guó)內(nèi)相關(guān)人才較為缺乏，在設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試以及封裝等核心技術(shù)方面還積累不夠，導(dǎo)致國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)在 IGBT 市場(chǎng)一直處于弱勢(shì)地位。

　　IGBT 技術(shù)與工藝差距

　　目前國(guó)內(nèi) IGBT 行業(yè)雖然逐漸具備了一定的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力，但國(guó)內(nèi) IGBT 技術(shù)在芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝等環(huán)節(jié)目前均處于起步階段。

　　晶圓制造方面，國(guó)內(nèi) IGBT 主要受制于晶圓生產(chǎn)的瓶頸，首先是沒有專業(yè)的代工廠進(jìn)行 IGBT 的代工，原 8 寸溝槽 IGBT 產(chǎn)品主要在華虹代工，但是 IGBT 并非華虹主營(yíng)業(yè)務(wù)，產(chǎn)品配額極其匱乏，且價(jià)格偏高；

　　其次，與國(guó)外廠商相比，國(guó)內(nèi)公司在大尺寸晶圓生產(chǎn)上工藝仍落后于全球龍頭。晶圓越大，單片晶圓產(chǎn)出的芯片就越多，在制造加工流程相同的條件下，單位芯片的制造成本會(huì)更低。目前，IGBT 產(chǎn)品最具競(jìng)爭(zhēng)力的生產(chǎn)線是 8 英寸和 12 英寸，國(guó)內(nèi)晶圓生產(chǎn)企業(yè)此前大部分還停留在 6 英寸產(chǎn)品的階段。僅有比亞迪、中車、士蘭微等幾家國(guó)內(nèi)企業(yè)實(shí)現(xiàn) 8 英寸產(chǎn)品量產(chǎn)。

　　同時(shí)，由于國(guó)內(nèi)集成電路公司沒有獨(dú)立的功率器件生產(chǎn)線，只能利用現(xiàn)有的集成電路生產(chǎn)工藝完成芯片加工，所以設(shè)計(jì)生產(chǎn)的基本是一些低壓芯片。與普通 IC 芯片相比，大功率器件有許多特有的技術(shù)難題，如芯片的減薄工藝，背面工藝等。

　　可以看出，IGBT 是一個(gè)對(duì)產(chǎn)線工藝依賴性極強(qiáng)的公司，解決這些難題不僅需要成熟的工藝技術(shù)，更需要先進(jìn)的工藝設(shè)備，這意味著設(shè)計(jì)公司不能跳出代工廠的支持獨(dú)立存在。所以，IGBT 企業(yè)走向大而強(qiáng)的最好的路線就是 IDM 模式。這些都是我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中急需解決的問題。

　　IGBT 封裝相對(duì)落后

　　在模塊封裝技術(shù)方面，車用 IGBT 的散熱效率要求比工業(yè)級(jí)要高得多，逆變器內(nèi)溫度最高可達(dá) 20℃，同時(shí)還要考慮強(qiáng)振動(dòng)條件。國(guó)內(nèi)目前僅掌握了傳統(tǒng)的焊接式封裝技術(shù)，與國(guó)外公司相比，技術(shù)上的差距依然存在。國(guó)外公司基于傳統(tǒng)封裝技術(shù)相繼研發(fā)出多種先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性能與長(zhǎng)期可靠性，并初步實(shí)現(xiàn)了商業(yè)應(yīng)用。

　　自第六代技術(shù)以后，各大廠商開始將精力轉(zhuǎn)移到 IGBT 封裝上。在 IGBT 封裝材料方面，日本在全球遙遙領(lǐng)先，德國(guó)和美國(guó)處于跟隨態(tài)勢(shì)，我國(guó)的材料科學(xué)則相對(duì)落后。

　　IGBT 工藝生產(chǎn)設(shè)備短板

　　IGBT 產(chǎn)業(yè)每道制作工藝都有專用設(shè)備配套，國(guó)內(nèi) IGBT 工藝設(shè)備購買、配套較為困難。比如德國(guó)的真空焊接機(jī)、薄片加工設(shè)備、表面噴砂設(shè)備、自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備等，其中有的國(guó)內(nèi)沒有，或技術(shù)水平達(dá)不到。

　　圖源 | SEMI

　　因此就會(huì)面臨好的進(jìn)口設(shè)備價(jià)格十分昂貴，便宜設(shè)備又不適用的問題。此外，還面臨國(guó)外設(shè)備由于出口限制或技術(shù)保密等因素未必會(huì)賣給中國(guó)的困境。

　　可見，要成功設(shè)計(jì)、制造 IGBT 必須要有產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用等成套技術(shù)的研究、開發(fā)及產(chǎn)品制造于一體的自動(dòng)化、專業(yè)化和規(guī)?；漠a(chǎn)業(yè)生態(tài)。

　　行業(yè)人才短缺

　　高端工藝開發(fā)人員非常缺乏，現(xiàn)有研發(fā)人員的設(shè)計(jì)水平有待提高。目前國(guó)內(nèi)沒有系統(tǒng)掌握 IGBT 制造工藝的人才。從國(guó)外先進(jìn)功率器件公司引進(jìn)是捷徑。但單單引進(jìn)一個(gè)人很難掌握 IGBT 制造的全流程，而要引進(jìn)一個(gè)團(tuán)隊(duì)難度太大。國(guó)外 IGBT 制造中許多技術(shù)是有專利保護(hù)。目前如果要從國(guó)外購買 IGBT 設(shè)計(jì)和制造技術(shù)，還牽涉到好多專利方面的東西。

　　市場(chǎng)推廣受阻

　　由于 IGBT 產(chǎn)品的壽命、穩(wěn)定性直接影響電動(dòng)車安全性，其性能也直接決定了續(xù)航里程等電動(dòng)車性能，因此全球電動(dòng)車 IGBT 市場(chǎng)此前一直被英飛凌等海外巨頭壟斷。

　　車企切換至國(guó)內(nèi)供應(yīng)商，需要對(duì)其產(chǎn)品穩(wěn)定性、性價(jià)比、量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)與裝車量、公司整體研發(fā)與資金實(shí)力等進(jìn)行綜合評(píng)估。因此 IGBT 在國(guó)產(chǎn)替代過程中面臨的較大市場(chǎng)難度。

　　小結(jié)：不難看到，從市場(chǎng)占比、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，到專利壁壘、人才技術(shù)，再到市場(chǎng)及下游客戶的認(rèn)可度，本土 IGBT 產(chǎn)業(yè)存在著全方位差距。

　　盡管近年來國(guó)內(nèi)眾多廠商紛紛開始加入 IGBT 產(chǎn)品布局，市場(chǎng)規(guī)模呈加速增長(zhǎng)趨勢(shì)。但國(guó)內(nèi) IGBT 市場(chǎng)產(chǎn)量依然較低，市場(chǎng)份額被國(guó)外巨頭瓜分蠶食。

　　面對(duì)當(dāng)前產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與困局，本土 IGBT 產(chǎn)業(yè)亟待突破。

　　如何突破？

　　圖源 | CGTN

　　發(fā)展晶圓代工廠與制程工藝

　　弘大芯源董事長(zhǎng)章威縱表示，“從過去 50 年硅基半導(dǎo)體發(fā)展之初，到目前國(guó)外第三代半導(dǎo)體發(fā)展領(lǐng)先的實(shí)際情況不難看出，沒有先進(jìn)的晶圓代工廠和制程工藝技術(shù)，技術(shù)就很難生根。這也是中國(guó)硅基及 IGBT 嚴(yán)重依賴進(jìn)口，落后國(guó)外的一大原因?！?/p>

　　去年，中芯國(guó)際以 1.13 億美元的對(duì)價(jià)，將所持有的 LFoundry 70%股權(quán)轉(zhuǎn)讓給專注于 IGBT、FRD 等新型電力電子芯片的研發(fā)企業(yè)——江蘇中科君芯。可見，國(guó)內(nèi) IGBT 企業(yè)在工藝制程方面逐漸在發(fā)力追趕。

　　國(guó)內(nèi)企業(yè)制造成本優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)

　　IGBT 產(chǎn)品當(dāng)前最具競(jìng)爭(zhēng)力的生產(chǎn)線是 8 英寸和 12 英寸，最為領(lǐng)先的廠商是英飛凌，已經(jīng)在 12 英寸生產(chǎn)線量產(chǎn) IGBT 產(chǎn)品。國(guó)內(nèi)公司大尺寸晶圓工藝和良率均落后于行業(yè)龍頭，導(dǎo)致芯片分?jǐn)偝杀据^高。

　　目前，伴隨國(guó)內(nèi)企業(yè) 8 寸晶圓產(chǎn)線先后投產(chǎn)，良率逐步提升，國(guó)產(chǎn) IGBT 有望較此前采購英飛凌等巨頭晶圓價(jià)格大幅下降。

　　新能源汽車市場(chǎng)是重要發(fā)力點(diǎn)

　　工信部印發(fā)的《汽車產(chǎn)業(yè)中長(zhǎng)期發(fā)展規(guī)劃》提出，到 2020 年我國(guó)新能源汽車產(chǎn)量達(dá)到 200 萬輛，2025 年達(dá)到 700 萬輛。IGBT 模塊占電動(dòng)汽車成本將近 10%，占充電樁成本約 20%。

　　集邦咨詢預(yù)測(cè)，到 2025 年，中國(guó)新能源汽車所用 IGBT 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 210 億人民幣，充電樁所用 IGBT 的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 100 億人民幣?？梢灶A(yù)見，新能源汽車市場(chǎng)將成為助推 IGBT 市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要力量，國(guó)內(nèi) IGBT 廠商要抓住這一發(fā)展契機(jī)，爭(zhēng)取擴(kuò)大市場(chǎng)份額。

　　小結(jié)：在新的市場(chǎng)需求與本土產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展的趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi) IGBT 行業(yè)逐漸在縮小差距。

　　對(duì)于本土企業(yè)應(yīng)該如何發(fā)力追趕，新能源及未來汽車技術(shù)路線獨(dú)立研究者曹廣平向筆者指出，“本土 IGBT 產(chǎn)業(yè)應(yīng)匯集優(yōu)質(zhì)人才、企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)、資金等，向華為一樣發(fā)力。這樣的發(fā)力，一定不要限于報(bào)項(xiàng)目、批項(xiàng)目、驗(yàn)項(xiàng)目，而是要緊緊抓住權(quán)利的配套監(jiān)管，不放松，不腐敗，不亂來。”

　　也許吧。產(chǎn)、學(xué)、研共同發(fā)力是產(chǎn)業(yè)發(fā)展和進(jìn)步的基礎(chǔ)，良好的制度和行業(yè)規(guī)則是產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步追趕的保障。

　　寫在最后

　　總體來看，我國(guó)在 IGBT 領(lǐng)域已經(jīng)解決了從 0 到 1 的問題，未來需要經(jīng)歷的是從 1 到 N 的漫長(zhǎng)過程。

　　新基建及戰(zhàn)略新興行業(yè)鼓勵(lì)政策等機(jī)遇，看似是助力行業(yè)前進(jìn)的大風(fēng)口，大機(jī)遇。但實(shí)際上，也正如曹廣平所言，“我們最缺乏的是不去迎合機(jī)遇，而是政府、行業(yè)、企業(yè)等能夠踏踏實(shí)實(shí)長(zhǎng)期真正做事情的耐心和決心。”

　　畢竟，政策只是一時(shí)的，機(jī)遇和風(fēng)口總會(huì)過去。剩下的，只有日復(fù)一日的耐心與“不破樓蘭終不還”的決心，才能有不被受制于人的可能與下一次面對(duì)挑戰(zhàn)時(shí)再來一次的勇氣。

　　文章參考

　　《比亞迪的 IGBT 真的很牛？》，汽車公社—王小西；

　　《IGBT 國(guó)內(nèi)替代國(guó)外》，智能網(wǎng)聯(lián)汽車；

　　《IGBT 市場(chǎng)巨頭林立 比亞迪半導(dǎo)體突圍不易》，蓋世汽車資訊；

　　《電動(dòng)車核心技術(shù) IGBT，國(guó)產(chǎn)替代可期》，中信證券；

　　“新能源及未來汽車技術(shù)路線獨(dú)立研究者 曹廣平”部分觀點(diǎn)。