國際半導體產業(yè)協(xié)會（SEMI）3月19日發(fā)布《2027年300mm晶圓廠展望報告》。報告顯示，由于存儲器市場的復蘇以及高性能計算、汽車應用的強勁需求，全球應用于前道工藝的300mm晶圓廠設備投資，預計將在2025年首次突破1000億美元，2027年將達到創(chuàng)紀錄的1370億美元。

SEMI預測，2025年全球300mm晶圓廠設備投資將增長20%至1165億美元，2026年增長12%至1305億美元，2027年將將繼續(xù)增長5%至1370億美元。

SEMI總裁兼CEO Ajit Manocha表示，對未來幾年這類設備支出猛增的預測，反映了為滿足不同市場對電子產品日益增長的需求，以及人工智能（AI）創(chuàng)新帶來的新熱潮。SEMI的最新報告還強調了政府增加對半導體制造業(yè)投資對于促進全球經濟和安全的重要性，這一趨勢預計將顯著縮小新興地區(qū)與以往亞洲半導體制造業(yè)最發(fā)達地區(qū)在設備支出的差距。

分區(qū)域看，SEMI表示中國大陸將繼續(xù)引領晶圓廠設備支出，未來四年每年投資額將達到300億美元。中國臺灣、韓國廠商也在加快設備投資，預計到2027年，中國臺灣設備支出將從2023年的203億美元增至2027年的280億美元，排名第二。韓國預計將從2024年的195億美元增至2027年的263億美元，位居第三。

美洲300mm晶圓廠設備投資預計將翻一倍，從2024年的120億美元增至2027年的247億美元。而日本、歐洲及中東、東南亞的設備支出，預計將在2027年分別達到114億美元、112億美元和53億美元。

細分領域方面，SEMI表示今年晶圓代工領域的設備支出預計將下降4%，降至566億美元，部分原因是大于10nm成熟節(jié)點投資放緩。預計到2027年，晶圓代工市場設備支出將達到791億美元。

存儲設備制造領域占比第二，SEMI表示人工智能服務器對數(shù)據吞吐量的需求增加，推動HBM等存儲芯片的強勁需求，并刺激該領域投資增加。預計2027年存儲器制造設備投資將達到791億美元，與2023年相比復合年增長率為20%。其中DRAM方面設備支出，至2027年將達到252億美元，3D NAND設備支出將達到168億美元。

此外，SEMI預計到2027年，模擬芯片、光電、分立元件領域的300mm設備支出將分別增加至55億美元，23億美元和16億美元。