6月16日消息，據(jù)韓國(guó)媒體Business Korea 報(bào)導(dǎo)，處理器大廠AMD于上周發(fā)布的全新人工智能（AI）芯片MI350 系列將搭載三星電子的12層堆疊的HBM3E高帶寬內(nèi)存。這對(duì)三星電子來(lái)是個(gè)好消息，因?yàn)樵摴驹谟ミ_(dá)的HBM 認(rèn)證方面一直遭遇挫折。此外，AMD 將于2026年推出的下一代MI400 系列芯片也對(duì)三星的HBM4 供應(yīng)有所期待。

AMD上周在美國(guó)舊金山圣何塞會(huì)議中心舉行的AI Advancing 2025 活動(dòng)中，正式發(fā)布了其新款AI芯片MI350X 和MI355X。隨后，這兩款A(yù)I芯片被確認(rèn)將搭載三星電子和美光的12層堆疊HBM3E 內(nèi)存。這似乎是三星先前一直向AMD 供應(yīng)HBM 內(nèi)存之后，AMD 的首次確認(rèn)。

而因?yàn)镸I350X 和MI355X 芯片本質(zhì)上是相同的，僅在散熱設(shè)計(jì)上有所不同，這改變將影響其最大運(yùn)行速率。所以，在兩款產(chǎn)品均配備288GB容量，較上一代MI300X 的192GB，以及較MI325X 為256GB 提升12.5%的情況下，其性能將有所提升。此外，內(nèi)置8個(gè)MI350系列的GPU的機(jī)架服務(wù)器，將采用總計(jì)2.3TB 的HBM3E 內(nèi)存。AMD 也宣布了一項(xiàng)計(jì)劃，目的在提高內(nèi)置多達(dá)128個(gè)GPU 的服務(wù)器機(jī)架的銷售量。因此，預(yù)計(jì)此計(jì)劃將帶來(lái)三星HBM 內(nèi)存的大規(guī)模供應(yīng)。

接下來(lái)的HBM4市場(chǎng)將會(huì)在2026年全面開啟，AMD 表示，2026年推出的MI400 系列GPU 將配備432GB 的HBM4 內(nèi)存。還有預(yù)計(jì)將配置72片MI400 系列GPU 的Helios 服務(wù)器機(jī)架，每個(gè)機(jī)架將配備31TB 的HBM4 內(nèi)存，其AI 運(yùn)算能力將是目前一代MI355X 機(jī)架服務(wù)器的10倍。

AMD CEO蘇姿豐在活動(dòng)中強(qiáng)調(diào)，它的運(yùn)算能力與英偉達(dá) Vera Rubin 機(jī)架服務(wù)器機(jī)架相當(dāng)，但HBM 容量和頻寬是Vera Rubin 機(jī)架服務(wù)器的1.5倍。

報(bào)道強(qiáng)調(diào)，隨著JEDEC 規(guī)范的最終確定，HBM4 正進(jìn)入全面生產(chǎn)階段。三星電子和SK 海力士計(jì)劃在2025年底前開始量產(chǎn)HBM4。三星電子在本世代HBM 競(jìng)賽中落后，決心憑借HBM4 扭轉(zhuǎn)局勢(shì)。而SK 海力士和美光公司正在采用第五代10nm級(jí)（1b）制程開發(fā)HBM4，三星方面則瞄準(zhǔn)基于更先進(jìn)的第六代10nm級(jí)（1c）制程的高性能，力圖重新奪回內(nèi)存市場(chǎng)領(lǐng)先地位。根據(jù)市場(chǎng)研究公司Omdia 的數(shù)據(jù)，2025年第一季，SK 海力士占全球DRAM 市占率的36.9%，其次是三星電子（34.4%）和美光（25%）。

韓國(guó)市場(chǎng)人士表示，如果三星電子無(wú)法憑借其技術(shù)的HBM4 領(lǐng)域中強(qiáng)勢(shì)回歸，那么三星與SK 海力士之間的差距只會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大。AMD 也正試圖透過(guò)其新設(shè)計(jì)的MI400 系列縮小與英偉達(dá)的差距，因此三星電子必須鞏固與MI350 系列建立的合作伙伴關(guān)系。