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是德科技推出先進(jìn)的14-bit精密示波器

是德科技推出先進(jìn)的14-bit精密示波器，適用于各種普遍的應(yīng)用場(chǎng)景 ? 14-bit 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 示波器相比于其他的通用示波器而言，信號(hào)分辨率是其四倍以上，而本底噪聲不到后者的一半 ? 儀器采用定制的專(zhuān)用集成電路和深度內(nèi)存架構(gòu)，可提供快速、準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果 ? 可提供在設(shè)計(jì)調(diào)試期間內(nèi)識(shí)別小幅度和罕見(jiàn)信號(hào)故障所需的精度和準(zhǔn)確性，加快產(chǎn)品上市時(shí)間

發(fā)表于：9/4/2024

Optimality在多個(gè)場(chǎng)景的時(shí)域仿真中高效性的深度研究

隨著產(chǎn)品的速率及復(fù)雜性越來(lái)越高，針對(duì)仿真而言，除了要求仿真本身具有非常高的精度外，還對(duì)仿真的效率提出了很高的要求。具體到不同的信號(hào)模塊，如DDR系統(tǒng)或者高速串行信號(hào)上，基于速率越來(lái)越高，越來(lái)越希望仿真給能出“最優(yōu)解”的配置，例如DDR5顆粒的ODT的最優(yōu)配置，高速信號(hào)芯片的加重均衡的最優(yōu)配置等參數(shù)。那么如何在成百上千種組合的參數(shù)中選擇相對(duì)最優(yōu)的參數(shù)呢？傳統(tǒng)的軟件只能通過(guò)大量的掃描來(lái)進(jìn)行篩選，在仿真時(shí)間和工程師的精力兩方面都有比較大的耗費(fèi)。使用Optimality軟件，通過(guò)分享一些具體的仿真案例，展現(xiàn)軟件的智能性，幫助使用者更快速挑選出最優(yōu)的參數(shù)，使DDR及高速串行的仿真工作變得更加輕松，充分體現(xiàn)出Optimality軟件的高效性。

發(fā)表于：9/4/2024

Virtuoso iQuantus Insight及Quantus Insight流程在FINFET先進(jìn)工藝項(xiàng)目中加速后仿迭代的應(yīng)用

隨著工藝演進(jìn)，尺寸進(jìn)一步縮小帶來(lái)了更多寄生通路和更大的寄生電阻，后仿結(jié)果和前仿相去甚遠(yuǎn)。如何快速縮小前后仿之間的差距成為重要課題。傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中只能通過(guò)Quantus Extracted View相對(duì)直觀(guān)地對(duì)寄生進(jìn)行分析，無(wú)法更詳細(xì)地進(jìn)行分析，這成為設(shè)計(jì)者們面臨的艱巨挑戰(zhàn)。同時(shí)，后仿發(fā)現(xiàn)問(wèn)題，只能通過(guò)“修改電路-版圖迭代-再次后仿”反復(fù)優(yōu)化，迭代周期長(zhǎng)，如何降低時(shí)間成本成為各公司關(guān)注的重點(diǎn)。Virtuoso iQuantus Insight （ViQI）/Quantus Insight （QI）可基于寄生網(wǎng)表文件進(jìn)行寄生分析及結(jié)果可視化。工程師可借此對(duì)寄生進(jìn)行準(zhǔn)確的分析及假設(shè)，無(wú)需版圖迭代，即可進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化。討論了如何通過(guò)ViQI/QI工具在FINFET先進(jìn)工藝項(xiàng)目中實(shí)現(xiàn)快速的后仿迭代，大幅提高工作效率。

發(fā)表于：9/4/2024

Conformal ECO寄存器新增的掃描鏈自動(dòng)化接入方案

隨著芯片規(guī)模的增加，ECO的需求和大小也隨之增加，其中當(dāng)新增寄存器數(shù)量達(dá)到百位量級(jí)時(shí)，人工接入掃描鏈難度也將急劇上升。基于Cadence的Conformal和Innovus等工具，在綜合考量邏輯正確性和中后端物理實(shí)現(xiàn)可行性的基礎(chǔ)上，采用歸一思路下的“S”型連線(xiàn)和room值下的再分組等方法，實(shí)現(xiàn)了上述問(wèn)題的自動(dòng)化和高效化解決，在邏輯上確保了時(shí)鐘域一致性等問(wèn)題，物理上同時(shí)兼顧了布局布線(xiàn)優(yōu)化和最大掃描鏈長(zhǎng)度。并且其自動(dòng)化的高效性，在項(xiàng)目實(shí)踐中能夠快速完成上百數(shù)量寄存器的掃描鏈接入。

發(fā)表于：9/4/2024

SEMI硅光子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立

SEMI硅光子產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立，臺(tái)積電及日月光等30多家企業(yè)加入

發(fā)表于：9/4/2024

日本攜手英特爾建先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心

日本攜手英特爾建先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)中心，將配備EUV光刻機(jī)

發(fā)表于：9/4/2024

2023年中國(guó)CAD市場(chǎng)達(dá)54.8億元同比增長(zhǎng)12.8%

IDC：2023 年中國(guó) CAD 市場(chǎng)達(dá) 54.8 億元同比增長(zhǎng) 12.8%，達(dá)索系統(tǒng)、西門(mén)子、歐特克三巨頭份額均下滑

發(fā)表于：9/4/2024

憶恒創(chuàng)源發(fā)布基于平頭哥主控的PCIe 5.0 SSD

9月3日消息，在ODCC大會(huì)上，國(guó)內(nèi)知名企業(yè)級(jí)PCIe SSD產(chǎn)品和解決方案供應(yīng)商憶恒創(chuàng)源，正式發(fā)布了國(guó)產(chǎn)PCIe 5.0企業(yè)級(jí)NVMe SSD PBlaze7 7A40系列。這款SSD基于阿里平頭哥的鎮(zhèn)岳510 NVMe主控芯片和長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存顆粒打造，率先實(shí)現(xiàn)了4K隨機(jī)寫(xiě)100萬(wàn)IOPS的突破，可為AI、數(shù)據(jù)庫(kù)、云計(jì)算、虛擬化等應(yīng)用帶來(lái)強(qiáng)勁的加速能力。

發(fā)表于：9/4/2024

我國(guó)超高純石墨領(lǐng)域取得重大突破

99.99995%以上純度！我國(guó)超高純石墨領(lǐng)域取得重大突破鋰電池/半導(dǎo)體必用材料

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱(chēng)LG Display連連虧損大規(guī)模裁員

消息稱(chēng)LG Display連連虧損大規(guī)模裁員，已有1400人自愿退休

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱(chēng)美國(guó)司法部已對(duì)英偉達(dá)在AI領(lǐng)域主導(dǎo)地位升級(jí)反壟斷調(diào)查

消息稱(chēng)美國(guó)司法部已對(duì)英偉達(dá)在 AI 領(lǐng)域主導(dǎo)地位升級(jí)反壟斷調(diào)查

發(fā)表于：9/4/2024

意法半導(dǎo)體正式宣布入股RISC-V公司Quintauris GmbH

意法半導(dǎo)體加入高通/恩智浦/博世/英飛凌/Nordic的RISC-V合資公司

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱(chēng)三星電子測(cè)試TEL公司Acrevia GCB設(shè)備以改進(jìn)EUV光刻工藝

發(fā)表于：9/4/2024

消息稱(chēng)三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化

消息稱(chēng)三星電子SK海力士堆疊式移動(dòng)內(nèi)存2026年后商業(yè)化 9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，三星電子和 SK 海力士的“類(lèi) HBM 式”堆疊結(jié)構(gòu)移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品將在 2026 年后實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。消息人士表示這兩大韓國(guó)內(nèi)存巨頭將堆疊式移動(dòng)內(nèi)存視為未來(lái)重要收入來(lái)源，計(jì)劃將“類(lèi) HBM 內(nèi)存”擴(kuò)展到智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦中，為端側(cè) AI 提供動(dòng)力。綜合IT之家此前報(bào)道，三星電子的此類(lèi)產(chǎn)品叫做 LP Wide I/O 內(nèi)存，SK 海力士則將這方面技術(shù)稱(chēng)為 VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線(xiàn)，即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起。三星電子的 LP Wide I/O 內(nèi)存位寬達(dá) 512bit，是現(xiàn)有 LPDDR 內(nèi)存的 8 倍，較傳統(tǒng)引線(xiàn)鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬。該內(nèi)存將于 2025 年一季度技術(shù)就緒，2025 下半年至 2026 年中量產(chǎn)就緒。

發(fā)表于：9/3/2024

我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號(hào)于 9 月 1 日發(fā)布博文，報(bào)道稱(chēng)國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）歷時(shí) 4 年自主研發(fā)，成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù)，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在該領(lǐng)域的首次突破。項(xiàng)目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS 結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，元胞一致性較好、雪崩能量比較高；缺點(diǎn)是當(dāng)電流被限制在靠近 P 體區(qū)域的狹窄 N 區(qū)中，流過(guò)時(shí)會(huì)產(chǎn)生 JFET 效應(yīng)，增加通態(tài)電阻，且寄生電容較大。

發(fā)表于：9/3/2024