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聯(lián)動(dòng)車業(yè)、攜手芯企、共贏四化——大聯(lián)大及伙伴共推車用技術(shù)創(chuàng)新和高效供應(yīng)

中國，深圳 - 2023年5月11日 – 由致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商大聯(lián)大控股主辦的、以 “駛向未來：預(yù)約下一個(gè)十五?五馳騁世界”為主題的汽車技術(shù)應(yīng)用路演深圳站今日?qǐng)A滿落幕。大聯(lián)大代理的近20條中外產(chǎn)線，以及大聯(lián)大自身強(qiáng)大的車用技術(shù)團(tuán)隊(duì)為本次活動(dòng)帶來精彩的演講和現(xiàn)場演示，在本次路演上海站之后再次吸引了眾多專業(yè)人士的參與。

發(fā)表于：5/11/2023

智慧醫(yī)療市場背后，元器件廠商的核心價(jià)值在哪里？

如今的傳統(tǒng)醫(yī)療行業(yè)正面臨著資源分配不均、人工供給不足、協(xié)作效率低等痛點(diǎn)，加速了醫(yī)療行業(yè)的深度變革。同時(shí)，疊加底層技術(shù)升級(jí)和政策牽引的雙重buff，讓智慧醫(yī)療站在了風(fēng)口上。然而，不同于消費(fèi)領(lǐng)域，醫(yī)療產(chǎn)業(yè)對(duì)包括芯片和元器件在內(nèi)的核心技術(shù)擁有極其嚴(yán)苛的標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)元器件廠商而言，如何憑借自身硬實(shí)力，打通上下游產(chǎn)業(yè)鏈將成為其在智慧醫(yī)療革新中出奇制勝的關(guān)鍵因素。

發(fā)表于：5/11/2023

EIE組合磁材磁集成變壓器的設(shè)計(jì)與研究

針對(duì)帶有功率因素校正功能的LLC諧振變換器，提出了一種新型EIE組合磁材磁集成變壓器，采用解耦集成的方式將PFC電感、LLC諧振電感以及LLC高頻變壓器這三個(gè)獨(dú)立的磁性元件集成到一起。詳細(xì)介紹了磁集成變壓器設(shè)計(jì)方法，并利用ANSYS Maxwell仿真軟件對(duì)EIE組合磁材磁集成變壓器進(jìn)行建模仿真。比較錳鋅鐵氧體材料與鐵硅鋁磁粉芯材料的特點(diǎn)后，為了提高變壓器的抗飽和能力，選用I型磁芯材質(zhì)為鐵硅鋁磁粉芯。最后，搭建了一臺(tái)輸出功率為100 W的實(shí)驗(yàn)樣機(jī)證實(shí)了EIE組合磁材磁集成變壓器設(shè)計(jì)方法的可行性。

發(fā)表于：5/11/2023

反激變換器開關(guān)噪聲抑制策略

多用于小功率輔助電源的反激變換器拓?fù)洌β势骷膶?dǎo)通及關(guān)斷噪聲在高壓輸入的情況下更加嚴(yán)重，甚至導(dǎo)致芯片無法正常工作。首先分析了反激變換器噪聲的產(chǎn)生機(jī)理，通過控制變壓器漏感，結(jié)合變換器負(fù)載條件以抑制輸出導(dǎo)通噪聲；其次，利用TL431及光耦變換器特性，設(shè)計(jì)可變補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，從環(huán)路控制方面補(bǔ)償漏感變化造成的系統(tǒng)性能降低；最后，搭建輸入430 V~650 V，多路輸出共10 W的反激輔助電源，實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的可行性與正確性。

發(fā)表于：5/11/2023

Nexperia首創(chuàng)交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為

Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數(shù)據(jù)手冊(cè)，大幅提升了對(duì)半導(dǎo)體工程師的設(shè)計(jì)支持標(biāo)準(zhǔn)。通過操作數(shù)據(jù)手冊(cè)中的交互式滑塊，用戶可以手動(dòng)調(diào)整其電路應(yīng)用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點(diǎn)如何動(dòng)態(tài)響應(yīng)這些變化。

發(fā)表于：5/11/2023

英飛凌推出面向電動(dòng)汽車牽引逆變器的新型汽車功率模塊——HybridPACK? Drive G2

　　2023 年 5 月 8 日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）近日推出一款新型汽車功率模塊——HybridPACK? Drive G2。該模塊傳承了成熟的 HybridPACK Drive G1 集成 B6 封裝概念，在相同尺寸下提供可擴(kuò)展性，并擴(kuò)展至更高的功率和易用性。HybridPACK Drive G2 系列具有不同的額定電流和電壓等級(jí)（750 V和1200 V），并使用了英飛凌的下一代芯片技術(shù) EDT3（硅 IGBT）和 CoolSiC? G2 MOSFET。

發(fā)表于：5/11/2023

睿感ScioSense推出低功耗氣體傳感器ENS161

　　德國紐倫堡，中國濟(jì)南，2023年5月9日——業(yè)界領(lǐng)先的環(huán)境和高精度流量和時(shí)間測(cè)量傳感芯片廠商睿感（ScioSense）今日宣布，推出了新品ENS161，這是一款低功耗多氣體傳感器，使僅靠小容量電池供電的可穿戴和便攜式設(shè)備能夠進(jìn)行連續(xù)的空氣質(zhì)量監(jiān)測(cè)。

發(fā)表于：5/10/2023

大聯(lián)大品佳集團(tuán)推出基于達(dá)發(fā)科技（Arioha）產(chǎn)品的OTC頸掛式藍(lán)牙助聽器方案

　　2023年5月9日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳推出基于達(dá)發(fā)科技（Arioha）PAU1806芯片的OTC頸掛式藍(lán)牙助聽器方案。

發(fā)表于：5/10/2023

東芝推出新款數(shù)字隔離器，助力工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高速隔離數(shù)據(jù)傳輸

　　中國上海，2023年5月9日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布推出新款高速四通道數(shù)字隔離器“DCL54xx01”系列，該系列具有100kV/μs（最小值）的高共模瞬態(tài)抑制（CMTI）和150Mbps的高速數(shù)據(jù)速率。該系列六款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

發(fā)表于：5/10/2023

xMEMS宣布其全球獨(dú)家全硅固態(tài)保真MEMS揚(yáng)聲器全面上市

　　中國，北京-2023年5月9日 - 固態(tài)保真（Solid-State Fidelity?）MEMS微型揚(yáng)聲器創(chuàng)新開發(fā)商xMEMS Labs（簡稱：xMEMS）宣布其三款革命性MEMS微型揚(yáng)聲器解決方案全面上市，可立即集成到下一代真無線立體聲（TWS）耳機(jī)、入耳式耳機(jī)（IEM）、數(shù)字助聽器以及智能眼鏡和睡眠耳塞等新興的個(gè)人音頻電子產(chǎn)品中。

發(fā)表于：5/10/2023

Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級(jí)聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設(shè)計(jì)人員提供最佳的選擇。

發(fā)表于：5/10/2023

世健獲Bourns“2022年度最佳技術(shù)伙伴”

近日，世健科技私人有限公司獲得了來自供應(yīng)商Bourns授予的“2022年度最佳技術(shù)伙伴”獎(jiǎng)項(xiàng) ，以表彰世健在過去一年中，為支持Bourns產(chǎn)品線所做出的突出貢獻(xiàn)。

發(fā)表于：5/10/2023

存儲(chǔ)芯片路線圖

CMOS 邏輯和存儲(chǔ)器共同構(gòu)成了半導(dǎo)體器件生產(chǎn)的絕大部分。本文考慮的內(nèi)存類型是 DRAM 和非易失性內(nèi)存 (NVM)。重點(diǎn)是商品、獨(dú)立芯片，因?yàn)檫@些芯片往往會(huì)推動(dòng)內(nèi)存技術(shù)。然而，嵌入式存儲(chǔ)芯片預(yù)計(jì)將遵循與商品存儲(chǔ)芯片相同的趨勢(shì)，通常會(huì)有一些時(shí)間滯后。對(duì)于 DRAM 和 NVM，都考慮了詳細(xì)的技術(shù)要求和潛在的解決方案。

發(fā)表于：5/9/2023

為什么芯片大廠都將接口IP作為打造安全SoC著力點(diǎn)？

當(dāng)前，我們正處于一個(gè)數(shù)據(jù)大爆炸的時(shí)代。IDC數(shù)據(jù)顯示，全球數(shù)據(jù)量自2022至2026五年時(shí)間里將增長一倍以上，僅中國的數(shù)據(jù)量就將達(dá)到56.16ZB，年復(fù)合增長率為24.9%。高速增長的數(shù)據(jù)量讓我們從“計(jì)算驅(qū)動(dòng)”走向“數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)”，數(shù)據(jù)正成為社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展重要的生產(chǎn)要素，也引發(fā)出三個(gè)關(guān)鍵性問題——開放流通、價(jià)值挖掘和安全保護(hù)。我們都知道芯片是數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)的核心載體，數(shù)據(jù)的計(jì)算、傳輸和存儲(chǔ)都離不開芯片。近幾年，“芯片后門”事件時(shí)有發(fā)生，造成的經(jīng)濟(jì)損失也越來越大，因此安全已經(jīng)成為芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)中不可或缺的一環(huán)。

發(fā)表于：5/9/2023

英飛凌德累斯頓新工廠破土動(dòng)工

　　【2023 年 5 月 5 日，德國慕尼黑及德累斯頓訊】英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）與來自比利時(shí)布魯塞爾、德國柏林和薩克森州的政界領(lǐng)袖共同為英飛凌的德累斯頓新工廠舉行破土動(dòng)工典禮。歐盟委員會(huì)主席馮德萊恩（Ursula von der Leyen）、德國總理奧拉夫·朔爾茨（Olaf Scholz）、薩克森州州長克雷奇默（Michael Kretschmer）和德累斯頓市長希伯特（Dirk Hilbert）與英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 象征性地共同啟動(dòng)了新工廠建設(shè)工作。這座新工廠的投資金額為 50 億歐元，是英飛凌歷史上最大的單筆投資。

發(fā)表于：5/9/2023