大功率IGBT器件內(nèi)部載流子控制方法綜述
所屬分類：技術論文
上傳者：aetmagazine
文檔大小：703 K
標簽： 絕緣柵雙極晶體管 載流子控制方法 器件性能
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文檔介紹：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的內(nèi)部載流子控制方法對器件的導通狀態(tài)電壓降、關斷損耗、SOA、熱可靠性和瞬態(tài)穩(wěn)定性等器件性能至關重要。已經(jīng)報道的許多載流子控制方法都側重于發(fā)射極(或陰極)、集電極(或陽極)和漂移區(qū)的設計。重點介紹了當前和未來幾代IGBT的載流子控制方法?；仡櫚l(fā)射極、集電極和漂移區(qū)的設計如何影響正向壓降和關斷能量損耗之間的權衡。最后，總結展望未來大功率IGBT器件內(nèi)部載流子控制方法的發(fā)展趨勢。
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