基于全物理模型的模塊級(jí)SRAM的SEU仿真方法
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>559 K
標(biāo)簽： 存儲(chǔ)器 單粒子翻轉(zhuǎn) 抗輻照
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文檔介紹：隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和工藝尺寸的降低，單元器件的尺寸逐漸減小，使得單粒子電荷共享和單粒子翻轉(zhuǎn)等效應(yīng)日益嚴(yán)重，增加了抗輻射加固模塊級(jí)SRAM設(shè)計(jì)難度，因此需要一套更為完備的仿真方法對模塊級(jí)SRAM的單粒子效應(yīng)敏感性進(jìn)行預(yù)估，為電路加固設(shè)計(jì)提供依據(jù)和建議。基于模塊級(jí)SRAM的單元結(jié)構(gòu)和電路版圖，利用Cogenda軟件構(gòu)建了模塊級(jí)SRAM單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)仿真方法，對其敏感性進(jìn)行分析，獲得其單粒子翻轉(zhuǎn)LET閾值，并與重離子實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行對比，仿真誤差為13.3%。
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