Flash存儲(chǔ)器單粒子效應(yīng)測(cè)試研究綜述
所屬分類(lèi)：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>561 K
標(biāo)簽： Flash存儲(chǔ)器 單粒子效應(yīng) 測(cè)試方法
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文檔介紹：隨著Flash存儲(chǔ)器在航天系統(tǒng)中的大量應(yīng)用，其單粒子效應(yīng)評(píng)價(jià)至關(guān)重要。首先綜述了Flash存儲(chǔ)器單粒子效應(yīng)研究進(jìn)展，總結(jié)出在重離子輻照實(shí)驗(yàn)中常見(jiàn)單粒子效應(yīng)及其故障原因，包括由存儲(chǔ)單元故障和外圍電路故障造成的單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子功能中斷和單粒子閉鎖。隨后，歸納出常見(jiàn)單粒子效應(yīng)的測(cè)試區(qū)分方法、測(cè)試算法和測(cè)試流程，為相關(guān)測(cè)試實(shí)驗(yàn)研究提供參考。
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