一種新型自毀芯片監(jiān)測和執(zhí)行電路的設(shè)計(jì)
所屬分類：技術(shù)論文
上傳者：aetmagazine
文檔大?。?span>896 K
標(biāo)簽： 自毀芯片 實(shí)時(shí)自毀監(jiān)測 自毀行
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文檔介紹：針對當(dāng)前自毀技術(shù)中，自毀監(jiān)測方式單一且自毀執(zhí)行較長和自毀不徹底、不穩(wěn)定導(dǎo)致自毀成功率較低的問題，設(shè)計(jì)了一種同時(shí)具備自毀實(shí)時(shí)監(jiān)測和執(zhí)行的電路系統(tǒng)。該電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)了封裝拆卸和上電時(shí)序兩種自毀監(jiān)測方式，使自毀監(jiān)測的方式更加多樣，提高結(jié)果的準(zhǔn)確性。同時(shí)利用MOS管作為開關(guān)特性，來減少自毀執(zhí)行的時(shí)間。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該電路系統(tǒng)在3.3 V的供電電壓且鉭電容存儲(chǔ)電壓為20 V時(shí)，可以通過自毀監(jiān)測電路對工作芯片進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)測，同時(shí)經(jīng)過測試表明，從監(jiān)測到自毀信號到自毀執(zhí)行開始，需要時(shí)間為0.28 ms。
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